[發(fā)明專利]制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010243743.3 | 申請日： | 2006-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN101916803A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 筆田麻佑子;中津弘志 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 氮化物 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟：
于第一襯底溫度，在襯底上生長InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)緩沖層；
于第二襯底溫度，在所述緩沖層上生長SiN層；
于第三襯底溫度，在所述SiN層上生長第一導(dǎo)電類型氮化物基半導(dǎo)體層；和
于第四襯底溫度，在所述第一導(dǎo)電類型氮化物基半導(dǎo)體層上生長發(fā)光層，
所述第一襯底溫度高于所述第二襯底溫度和所述第三襯底溫度至少之一，所述第四襯底溫度低于所述第二襯底溫度和所述第三襯底溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第一襯底溫度高于所述第二襯底溫度和所述第三襯底溫度二者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法，其中所述SiN層的厚度設(shè)定為包括三個原子層或不足三個原子層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法，還包括以下步驟：
在所述發(fā)光層上生長第二導(dǎo)電類型氮化物基半導(dǎo)體層。
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