[發(fā)明專利]柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估方法、評(píng)估裝置及評(píng)估程序

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010243614.4
• 申請(qǐng)日: 2010-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN101995536A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辻川真平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): G01R31/12
• 分類號(hào): G01R31/12;G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估方法，用于評(píng)估MOS型元件的柵極絕緣膜的介質(zhì)擊穿壽命，該評(píng)估方法包括如下步驟：

確定直到達(dá)到所述MOS型元件的柵極絕緣膜的軟擊穿為止的壽命分布的威布爾斜率；

在上述步驟之后根據(jù)所確定的威布爾斜率來確定所述軟擊穿的檢測(cè)條件；以及

利用所確定的檢測(cè)條件來執(zhí)行介質(zhì)擊穿試驗(yàn)。

2.如權(quán)利要求1所述的柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估方法，其中，在確定所述威布爾斜率的步驟中所使用的所述MOS型元件的柵極長(zhǎng)度和柵極寬度實(shí)質(zhì)上等同于在目標(biāo)集成電路中所使用的最小尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估方法，其中，在執(zhí)行所述介質(zhì)擊穿試驗(yàn)的步驟中的試驗(yàn)溫度被確定為第一溫度，而在確定所述威布爾斜率的步驟中，通過在低于所述第一溫度的第二溫度下進(jìn)行所述介質(zhì)擊穿試驗(yàn)來確定所述威布爾斜率。

4.如權(quán)利要求3所述的柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估方法，其中，所述第二溫度被確定為近似室溫或者低于室溫的溫度。

5.一種柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估裝置，用于評(píng)估MOS型元件的柵極絕緣膜的介質(zhì)擊穿壽命，該評(píng)估裝置包括：

電壓供給單元，它向所述MOS型元件提供電壓以向所述MOS型元件施加電應(yīng)力；

電流測(cè)定單元，它測(cè)定流過所述柵極絕緣膜的漏電流；以及

溫度保持單元，它將包含所述MOS型元件的試驗(yàn)元件保持在室溫以下。

6.如權(quán)利要求5所述的柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估裝置，其中，所述電壓供給單元具有能夠向形成在基板上的多個(gè)試驗(yàn)元件施加電應(yīng)力的結(jié)構(gòu)，并且所述電流測(cè)定單元具有能夠?qū)λ龆鄠€(gè)試驗(yàn)元件進(jìn)行測(cè)定的結(jié)構(gòu)。

7.一種用于柵極絕緣膜介質(zhì)擊穿壽命評(píng)估程序，該評(píng)估程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟：

確定直到達(dá)到MOS型元件的柵極絕緣膜的軟擊穿為止的壽命分布的威布爾斜率；

在上述步驟之后根據(jù)所確定的威布爾斜率來確定所述軟擊穿的檢測(cè)條件；以及

利用所確定的檢測(cè)條件來執(zhí)行介質(zhì)擊穿試驗(yàn)。