[發明專利]利用耐熱膠粘片制造半導體器件的方法有效
| 申請號: | 201010243397.9 | 申請日: | 2010-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN102136432A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發明(設計)人: | 樸允敏;文基禎;全海尚;崔城煥;沈昌勛 | 申請(專利權)人: | 東麗世韓株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 耐熱 膠粘 制造 半導體器件 方法 | ||
1.一種利用耐熱膠粘片制造半導體器件的方法,所述方法包含如下工序:
(a)準備金屬引線框;
(b)將半導體芯片安裝至金屬引線框上;
(c)通過導線將金屬引線框的引線與半導體芯片連接;
(d)利用耐熱膠粘片,對具有安裝于其上的半導體芯片和連接于其上的導線的金屬引線框進行粘貼和層壓;
(e)利用密封樹脂密封半導體芯片;和
(f)在密封完成后移除耐熱膠粘片。
2.權利要求1所述的方法,其中所述耐熱膠粘片包含:
耐熱襯底;和
耐熱膠粘劑層,所述耐熱膠粘劑層具有包含涂布在所述襯底至少一側上的能量束固化性低聚物樹脂、能量束引發劑、熱固性丙烯酸類膠粘樹脂和熱固化劑的組成。
3.權利要求2所述的方法,其中所述耐熱襯底為選自如下的至少一種膜:聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纖維素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚碳酸酯。
4.權利要求2所述的方法,其中所述耐熱膠粘劑層具有1μm~50μm的厚度。
5.權利要求2所述的方法,其中根據設計目的,使用耐熱膠粘劑層的一種能量束固化性低聚物樹脂或將兩種以上能量束固化性低聚物樹脂組合使用,并且相對于每100重量份熱固性丙烯酸類膠粘樹脂,所述能量束固化性低聚物樹脂的用量為0.1至40重量份。
6.權利要求2所述的方法,其中所述熱固性丙烯酸類膠粘樹脂具有40,000至3,000,000的重均分子量。
7.權利要求2所述的方法,其中根據設計目的,使用耐熱膠粘劑層的一種能量束引發劑或將兩種以上能量束引發劑組合使用,并且相對于每100重量份能量束固化性低聚物樹脂,所述能量束引發劑的用量為0.01至20重量份。
8.權利要求2所述的方法,其中當溫度以10℃/分鐘的速率從室溫升至250℃時,所述耐熱膠粘劑層的重量減少低于5%。
9.權利要求2所述的方法,其中在將耐熱膠粘片粘貼至金屬表面之后,所述耐熱膠粘片保護金屬表面,使得在250℃的高溫下不在金屬表面發生氧化。
10.權利要求2至9任一項所述的方法,其中所述耐熱膠粘片通過耐熱膠粘劑層的潤濕性進行粘貼而無需應用輥壓或熱壓,并且當耐熱膠粘片粘貼至銅箔并在室溫下保持10分鐘后,所述耐熱膠粘片具有1克力/英寸至500克力/英寸的粘附強度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





