[發明專利]半導體器件結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201010242704.1
• 申請日: 2010-07-30
• 公開（公告）號: CN102347277A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎;尹海洲
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/28;H01L27/088;H01L23/528;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種制作半導體器件結構的方法，包括：

在半導體襯底上形成柵極線；

環繞所述柵極線形成柵極側墻；

在所述柵極線的兩側，嵌入所述半導體襯底中形成源/漏區；

環繞所述柵極側墻形成導電側墻；以及

在預定區域切斷所述柵極線、柵極側墻和導電側墻，切斷的柵極線形成電隔離的柵極，切斷的導電側墻形成電隔離的下接觸部。

2.根據權利要求1所述的方法，切斷所述柵極線、柵極側墻和導電側墻的步驟包括：使用反應離子刻蝕或激光切割刻蝕，進行切斷。

3.根據權利要求1所述的方法，如果所述半導體襯底上形成有淺溝槽隔離，則切割的位置位于所述淺溝槽隔離的上方。

4.根據權利要求1所述的方法，沿柵寬的方向上，相鄰的電隔離柵極之間的距離，以及相鄰的電隔離下接觸部之間的距離為1～10nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，切斷所述柵極線、柵極側墻和導電側墻的時間為形成所述導電側墻之后，以及完成所述半導體器件結構的前道工藝之前。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，切斷所述柵極線、柵極側墻和導電側墻之前或之后，所述方法進一步包括：

對所述半導體器件結構進行平坦化處理，至所述導電側墻或下接觸部的頂部露出。

7.根據權利要求1所述的方法，所述下接觸部用作半導體器件的源/漏區與外部的導電接觸。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，在所述導電側墻形成之后且在進行切斷之前，所述方法進一步包括：

將所述柵極線去除以在所述柵極側墻內側形成開口；以及

在所述開口內形成替代柵極線。

9.根據權利要求8所述的方法，其中在形成替代柵極線之前，進?一步包括：在所述開口內形成柵介質層。

10.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，在形成所述導電側墻后，立即進行所述切斷以形成電隔離的柵極和電隔離的下接觸部；

并且所述方法進一步包括：

將所述柵極去除以在所述柵極側墻內側形成開口；以及

在所述開口內形成替代柵極。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在形成替代柵極之前，所述方法進一步包括：在所述開口內形成柵介質層。

12.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，在切斷所述柵極線、柵極側墻和導電側墻之后，所述方法進一步包括：

在所述半導體器件結構上形成層間介質層；

在所述層間介質層中形成所述柵極、以及下接觸部所對應的上接觸部，所述下接觸部與上接觸部相對。

13.一種半導體器件結構，包括：

半導體襯底；

至少兩個晶體管結構，形成在所述半導體襯底上且沿柵寬的方向排列，每一晶體管結構分別包括：

在所述半導體襯底上形成的柵堆疊，所述柵堆疊包括柵介質層和柵介質層上的柵極；

僅在所述柵堆疊兩側形成的柵極側墻；以及

緊鄰所述柵極側墻的兩側形成的下接觸部，

其中，沿柵寬的方向上，相鄰的晶體管的柵極的端部、柵極側墻的端部以及下接觸部的端部相齊。

14.根據權利要求13所述的半導體器件結構，其中，沿柵寬的方向上，相鄰柵極之間的距離、以及相鄰下接觸部之間的距離為1-10nm。

15.根據權利要求13所述的半導體器件結構，其中，沿柵寬的方向上，所述柵極之間、以及所述下接觸部之間通過介質材料隔離。

16.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述下接觸部與柵堆疊具有相同的高度。?

17.根據權利13所述的半導體器件結構，其中，所述下接觸部用作半導體器件的源/漏區與外部的導電接觸。

18.根據權利13至17中任一項所述的半導體器件結構，其中，在所述柵極和下接觸部上形成有上接觸部，所述上接觸部與下接觸部相對。?