[發明專利]淺溝槽隔離結構的制造方法無效
| 申請號： | 201010241615.5 | 申請日： | 2010-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN101930941A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 郭國超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 制造 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，包括：
提供具有溝槽的半導體襯底；
在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層；
在所述溝槽中填充絕緣介質。
2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層的步驟在爐管中進行。
3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層的步驟中，所使用的反應氣體為氧化亞氮、二氯硅烷以及氨氣。
4.如權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述氧化亞氮的流量為80～200sccm，所述二氯硅烷的流量為30～150sccm，所述氨氣的流量為50～300sccm。
5.如權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層的步驟中，所采用的溫度為600～1000℃。
6.如權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層的步驟中，所述爐管內的壓力為50～300mTorr。
7.如權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述氮氧化硅層的厚度100～250。
8.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽的底部和側壁形成氮氧化硅層的步驟之前，還包括：在所述溝槽的底部和側壁形成氧化硅層。
9.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，利用高密度等離子體化學氣相沉積工藝在所述溝槽中填充絕緣介質。
10.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽中填充絕緣介質的步驟之后，還包括：利用化學機械研磨工藝平坦化所述半導體襯底的表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
