[發明專利]存儲器以及制造存儲器的方法有效
| 申請號： | 201010241550.4 | 申請日： | 2010-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN101937878A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 李冰寒;邵華;孔蔚然;江紅;曹立 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 以及 制造 方法 | ||
1.一種制造存儲器的方法，包括：
存儲器多晶硅刻蝕步驟，用于形成刻蝕后的存儲器多晶硅層；
柵極多晶硅刻蝕步驟，用于在所形成的刻蝕后的存儲器多晶硅層上形成刻蝕后的柵極多晶硅層；以及
字線刻蝕步驟，用于在所形成的刻蝕后的柵極多晶硅層上刻蝕字線，并去除柵極多晶硅刻蝕步驟中產生的多晶硅殘留；
其特征在于，柵極多晶硅刻蝕步驟之后，刻蝕后的柵極多晶硅層在刻蝕后的柵極多晶硅層平面的三個方向上覆蓋刻蝕后的存儲器多晶硅層。
2.根據權利要求1所述的制造存儲器的方法，其特征在于，柵極多晶硅刻蝕步驟之后，使得二氧化硅層之外的襯底區域中不存在多晶硅殘留。
3.根據權利要求1或2所述的制造存儲器的方法，其特征在于，字線刻蝕步驟中去除柵極多晶硅刻蝕步驟中產生的多晶硅殘留包括：對二氧化硅層上的多晶硅殘留進行刻蝕。
4.根據權利要求1或2所述的制造存儲器的方法，其特征在于，所述方法還包括在柵極多晶硅刻蝕步驟之后在刻蝕后的柵極多晶硅層中形成硅化金屬阻止區。
5.根據權利要求1或2所述的制造存儲器的方法，其特征在于，所述方法還包括在柵極多晶硅刻蝕步驟之后在刻蝕后的存儲器多晶硅層中的未被刻蝕后的柵極多晶硅層覆蓋的區域中形成硅化金屬阻止區。
6.根據權利要求5所述的制造存儲器的方法，其特征在于，所形成的硅化金屬阻止區位于刻蝕后的存儲器多晶硅層的與刻蝕后的柵極多晶硅層鄰接的邊緣區域中。
7.根據權利要求1或2所述的制造存儲器的方法，其特征在于，所述方法用于制造閃存。
8.一種根據權利要求1至7之一所述的方法制成的存儲器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
