[發明專利]硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法

無效

• 申請號: 201010240690.X
• 申請日: 2010-07-30
• 公開（公告）號: CN101891480A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 王玉美;楊強;高明;洪長青
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C04B35/58
• 分類號: C04B35/58;C04B35/622
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法如下：一、按體積份數將20份的α-SiC粉和80份的ZrB₂粉混合，加入無水乙醇，無水乙醇的加入量為α-SiC粉、ZrB₂粉和無水乙醇總量的體積百分比為70%~75%，然后在20~30℃進行恒溫球磨10~15h小時，再在70~80℃、轉速為30r/min~60r/min的條件下干燥，過篩，得到粒徑為200~300目的ZrB₂-20%volSiC粉；二、按體積份數將30份的α-SiC粉和70份的ZrB₂粉混合，加入無水乙醇，無水乙醇的加入量為α-SiC粉、ZrB₂粉和無水乙醇總量的體積百分比為70%~75%，然后在20~30℃進行恒溫球磨10~15h小時，再在70~80℃、轉速為30r/min~60r/min的條件下干燥，過篩，得到粒徑為200~300目的ZrB₂-30%volSiC粉；三、在石墨模具的表面涂覆一層脫模劑，然后將ZrB₂-20%volSiC粉和ZrB₂-30%volSiC粉對稱交替層疊于石墨模具內，得到層數為17層的坯體，坯體的奇數層為壓應力層，壓應力層厚度為400μm，壓應力層由ZrB₂-30%volSiC粉形成，坯體的偶數層為拉應力層，拉應力層厚度為800μm，拉應力層由ZrB₂-20%volSiC粉形成；四、將步驟三所得的坯體在預壓力為8~10?MPa的條件下保壓5min；五、將經過步驟四處理的坯體在1900℃、30MPa的條件下保壓60min，即得硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料。

2.根據權利要求1所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟三中所述的脫模劑為氮化硼。

3.根據權利要求1或2所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟一中無水乙醇的加入量為α-SiC粉、ZrB₂粉和無水乙醇總量的體積百分比為72%。

4.根據權利要求3所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟一中在25℃進行恒溫球磨12h小時。

5.根據權利要求1、2或4所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟一中在75℃、轉速為50r/min的條件下干燥。

6.根據權利要求5所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟二中無水乙醇的加入量為α-SiC粉、ZrB₂粉和無水乙醇總量的體積百分比為72%。

7.根據權利要求1、2、4或6所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟二中在25℃進行恒溫球磨12h小時。

8.根據權利要求7所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟二中在75℃、轉速為50r/min的條件下干燥。

9.根據權利要求7所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟二中在78℃、轉速為40r/min的條件下干燥。

10.根據權利要求1、2、4、6或8所述硼化鋯-碳化硅基層狀超高溫陶瓷復合材料的制備方法，其特征在于步驟四中在預壓力為9MPa的條件下保壓5min。