[發明專利]一種太陽能硅片的回收方法有效
| 申請號： | 201010240413.9 | 申請日： | 2010-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN102343352A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發明（設計）人： | 馮克光;胡宇寧;姜俊剛;趙科雄;范建都;滕美玲 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | B09B3/00 | 分類號： | B09B3/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能 硅片 回收 方法 | ||
1.一種太陽能硅片的回收方法，其包括如下步驟：
(1)將印刷不良的太陽能硅片在有機溶劑中浸泡，然后水洗；
(2)將步驟(1)處理后的太陽能硅片在氧化性酸中浸泡，然后水洗；
(3)將步驟(2)處理后的太陽能硅片在鹽酸中浸泡，然后水洗；
(4)將步驟(3)處理后的太陽能硅片的背面在氫氟酸中浸泡，然后水洗，干燥。
2.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：步驟(1)和/或步驟(2)中，浸泡的過程還包括超聲波震蕩或者鼓泡。
3.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：所述有機溶劑為乙醇、異丙醇、丙酮中一種或幾種。
4.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：所述氧化性酸選自硝酸、濃硫酸中一種。
5.根據權利要求4所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：所述硝酸的濃度為10～65wt％；所述濃硫酸的濃度為50～98wt％。
6.根據權利要求4所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：步驟(2)中，浸泡的溫度為30～80℃。
7.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：步驟(2)中，浸泡的時間為0.5～2h。
8.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：所述鹽酸的濃度為5～30wt％。
9.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：所述氫氟酸的濃度為5～50wt％。
10.根據權利要求1所述的太陽能硅片的回收方法，其特征在于：步驟(4)中的浸泡的時間為0.5～60min。
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