[發(fā)明專利]一種通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010238711.4 | 申請日: | 2010-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN102339773A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林英浩 | 申請(專利權(quán))人: | 沈陽拓荊科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 張志偉 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通過 閥開度 判斷 刻蝕 終止 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及PECVD設(shè)備刻蝕領(lǐng)域,具體為一種通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法,它是在PECVD設(shè)備進(jìn)行腔體刻蝕清洗時(shí),判斷清洗完成的方法。
背景技術(shù)
刻蝕技術(shù)(etching?technique),是在半導(dǎo)體工藝中,按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。
PECVD設(shè)備的刻蝕清洗指:在PECVD設(shè)備進(jìn)行沉積薄膜工藝后,會(huì)有薄膜沉積到腔體內(nèi)壁以及腔體里面的零部件表面上,當(dāng)薄膜積累過多時(shí),會(huì)脫落到晶圓上,嚴(yán)重影響薄膜工藝。所以需要在薄膜脫落前,將它們用刻蝕的方法清洗掉。
刻蝕清洗過程:在腔體內(nèi)通入氧氣、C2F6,打開射頻,使腔體內(nèi)產(chǎn)生等離子體,從而發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使腔體內(nèi)壁以及腔體里面的零部件上的薄膜生成氣體,排走。
現(xiàn)有技術(shù)中,判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法主要有:發(fā)射光譜法、紅外光譜法、RF電壓監(jiān)測法、質(zhì)譜儀法等,其中:
(1)發(fā)射光譜法的缺點(diǎn):腔體需開孔,增加成本及加工復(fù)雜性;刻蝕清洗時(shí)需采用腔體內(nèi)輝光刻蝕,輝光刻蝕已逐步被淘汰。
(2)紅外光譜法的缺點(diǎn):成本高,有很強(qiáng)的專利限制(US6191864、US6228277、US6582618、US?6081334、US?5888337、US?5780315、US?5552016和US6878214等);傳感器容易臟,影響精確度。
(3)RF電壓監(jiān)測法的缺點(diǎn):刻蝕清洗時(shí)需采用腔體內(nèi)輝光刻蝕,輝光刻蝕已逐步被淘汰。
(4)質(zhì)譜儀法的缺點(diǎn):成本極高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的成本較高等問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法,需要判斷刻蝕終止點(diǎn)的腔體與排氣管道連通,排氣管道上設(shè)有閥,通過排氣管道上閥的開度來判斷刻蝕終止點(diǎn)。
所述的通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法,刻蝕時(shí),壓強(qiáng)不變,通過排氣管道上閥的開度來判斷刻蝕終止點(diǎn)。
所述的通過閥開度判斷刻蝕終止點(diǎn)的方法,腔體內(nèi)壓強(qiáng)3torr±0.1torr;刻蝕過程中,當(dāng)閥的開度從17%變?yōu)?3%時(shí),刻蝕清洗完畢。
本發(fā)明的有益效果是:
1、成本低。在PECVD設(shè)備中;帶開度的閥是必要的器件,只需監(jiān)測閥的開度就能判斷刻蝕清洗的終止點(diǎn),不需要增加硬件成本。
2、不受專利限制。
3、可靠性高。PECVD工藝的穩(wěn)定,需要由帶開度的閥準(zhǔn)確度及穩(wěn)定可靠來保證。
本發(fā)明的原理如下:
當(dāng)腔體內(nèi)進(jìn)行刻蝕清洗時(shí),通入的氣體在等離子體態(tài)下與腔內(nèi)的薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng),這個(gè)反應(yīng)是個(gè)放氣反應(yīng),當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后,若保證腔內(nèi)的壓強(qiáng)不變,需要減小排氣管道上閥門的開度來完成。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本發(fā)明需要判斷刻蝕終止點(diǎn)的腔體1與排氣管道2連通,排氣管道2上設(shè)有閥3。
實(shí)施例1
如圖1所示,在PECVD設(shè)備進(jìn)行刻蝕清洗腔體過程中,腔體1內(nèi)壓強(qiáng)保持不變,通過監(jiān)測排氣管道2上閥3的開度,來判斷刻蝕清洗完畢的方法。
刻蝕流程中,工藝參數(shù)如下:
氧氣流量:1600sccm;
C2F6流量:1600sccm;
腔體內(nèi)壓強(qiáng):3托(torr);
刻蝕過程中,當(dāng)閥的開度從17%變?yōu)?3%時(shí),刻蝕清洗完畢。
本實(shí)施例中,采用閥的控制器可以監(jiān)測閥的開度。
采用本實(shí)施例判斷刻蝕終止后,試驗(yàn)數(shù)據(jù)如下:
表1
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





