[發明專利]有機發光二極管像素電路

有效

• 申請號: 201010238315.1
• 申請日: 2010-07-26
• 公開（公告）號: CN101901576A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 蔡宗廷;吳元均
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明涉及一種有機發光二極管顯示器的技術，且特別是有關于一種有機發光二極管像素電路。

背景技術

有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode，OLED)顯示器是以有機發光二極管作為顯示元件。而有機發光二極管乃是一種由電流來進行驅動的元件，其發光亮度會隨著通過有機發光二極管的電流而改變。因此，如何精準地控制通過有機發光二極管的電流遂成為有機電激發光面板發展中的重要課題。

請參照圖1，其為公知的有機發光二極管顯示器的示意圖。此有機發光二極管顯示器100包括有掃描驅動電路110、數據驅動電路120、電源電壓供應電路130與有機發光二極管顯示面板140。而有機發光二極管顯示面板140又包括有多條掃描線(如標示142所示)、多條數據線(如標示144所示)、導線146與多個像素(如標示148所示)。每一像素148是由晶體管148-1、電容148-2、晶體管148-3與有機發光二極管148-4所組成。其中，晶體管148-1與148-3皆以N型晶體管來實現，例如是皆以N型薄膜晶體管(N-type?Thin-FilmTransistor，N-type?TFT)來實現。而圖中所示的OVSS為參考用的電源電壓，例如是接地電位。一般來說，晶體管148-1在這樣的像素電路架構是稱為開關晶體管，而晶體管148-3在這樣的像素電路架構則是稱為驅動晶體管。以上所述構件的詳細連接關系已在圖1中展示，在此便不再贅述。

在圖1所示的架構中，每一像素148中的晶體管148-3皆通過導線146接收電源電壓供應電路130所提供的電源電壓OVDD，且每一像素148中的有機發光二極管148-4的陰極皆耦接參考用的電源電壓OVSS。而數據線144所傳送的顯示數據的電壓將會與電壓電源OVDD與OVSS的電位差共同影響通過有機發光二極管148-4的電流大小，借此控制有機發光二極管148-4的亮度。

然而，隨著有機發光二極管148-4的老化，使得有機發光二極管148-4的內阻上升，進一步使得有機發光二極管148-4的跨壓上升。而有機發光二極管148-4的跨壓的上升，將迫使晶體管148-3的漏極-源極電壓(即V_DS)變小。而由于通過晶體管148-3的電流大小是與晶體管148-3的V_DS電壓成正比，因此在晶體管148-3的V_DS電壓變小的情況下，通過晶體管148-3的電流也會變小，進一步使得有機發光二極管148-4的亮度變低。如此一來，由于有機發光二極管148-4的老化現象會降低有機發光二極管148-4的亮度，導致顯示畫面出現了亮度不均勻的現象，而此即所謂的烙痕(Image?Sticking)現象。

通過上述可知，像素148所示的這種有機發光二極管像素電路會因為有機發光二極管的老化而導致亮度下降。而同樣的情形，也發生在公知技術中的另一種有機發光二極管像素電路，請參照圖2。圖2繪示公知的另一種有機發光二極管像素電路。此有機發光二極管像素電路200是由晶體管202(即開關晶體管)、電容204、晶體管206(即驅動晶體管)與有機發光二極管208所組成。其中，晶體管202亦以一N型晶體管來實現，例如是以一N型薄膜晶體管來實現，而晶體管206則以一P型晶體管來實現，例如是以一P型薄膜晶體管(P-typeThin-Film?Transistor，P-type?TFT)來實現。而圖中所示的OVDD為電源電壓供應電路(未繪示)所提供的電源電壓。至于圖中所示的OVSS，其為參考用的電源電壓，例如是接地電位。此外，晶體管202的其中一源/漏極用以耦接數據線(未繪示)，以便接收數據線所傳送的顯示數據DATA。而晶體管202的柵極用以耦接掃描線(未繪示)，以便接收掃描線所傳送的掃描信號G_n，其中n為自然數，而G_n表示第n條掃描線所傳送的掃描信號。

此有機發光二極管像素電路200與前述像素148所示的有機發光二極管像素電路的不同之處在于，在有機發光二極管像素電路200中，用以決定通過有機發光二極管208的電流大小的晶體管206乃是一個P型晶體管，而在前述像素148所示的有機發光二極管像素電路中，用以決定通過有機發光二極管148-4的電流大小的晶體管148-3乃是一個N型晶體管。