[發明專利]晶體硅太陽能電池片控制二氧化硅厚度的方法有效
| 申請號： | 201010238314.7 | 申請日： | 2010-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN101976647A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | 華永軍 | 申請（專利權）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/223 | 分類號： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體 太陽能電池 控制 二氧化硅 厚度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法為：先將晶體硅太陽能擴散時的中心溫度調整為840-850℃，時間調整為30-40min，當二氧化硅沉積時，氮氣大流量為20-30SLM，氮氣小流量為1000-1400SCCM，氧氣干燥為300-500SCCM后，二氧化硅的厚度達到正常。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州天合光能有限公司，未經常州天合光能有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010238314.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種冷凍保存紅細胞的方法
- 下一篇：可固化粘合劑組合物、方法及應用
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
