[發(fā)明專利]多色調(diào)光掩模、多色調(diào)光掩模的制造方法和圖案轉(zhuǎn)印方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010238214.4
• 申請(qǐng)日: 2010-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN101963753A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳井涼一;三好將之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14;G03F1/08;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;張志楠

1.一種多色調(diào)光掩模，其是在透明基板上形成有規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖案的多色調(diào)光掩模，所述規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖案含有遮光部、透光部和半透光部，

其特征在于，

所述遮光部是在所述透明基板上層積半透光膜和遮光膜而成的，

所述透光部是所述透明基板露出而成的，

所述半透光部是形成于所述透明基板上的所述半透光膜露出而成的，

所述半透光膜具有第1半透光層和層積于所述第1半透光層上的第2半透光層，

該多色調(diào)光掩模進(jìn)行了減膜以使構(gòu)成所述半透光部的所述第2半透光層的膜厚小于構(gòu)成所述遮光部的所述第2半透光層的膜厚。

2.如權(quán)利要求1所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，通過構(gòu)成所述半透光部的所述第1半透光層和經(jīng)減膜的所述第2半透光層，所述半透光部對(duì)波長在365nm～436nm范圍的光的透過率具有1％～10％的波長依賴性。

3.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，對(duì)于波長在365nm～436nm范圍的光，構(gòu)成所述半透光部的所述第2半透光層的透過率的波長依賴性與構(gòu)成所述半透光部的所述第1半透光層的透過率的波長依賴性相互不同。

4.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，使構(gòu)成所述半透光部的所述第2半透光層的減膜量為構(gòu)成所述遮光部的所述第2半透光層的膜厚的3％～95％。

5.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，對(duì)于波長為365nm～436nm的光，構(gòu)成所述半透光部的所述第1半透光層與所述第2半透光層的層積層的透過率為3％～60％。

6.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，所述多色調(diào)光掩模還具備高透過率半透光部，所述高透過率半透光部是形成于所述透明基板上的所述第1半透光層露出而成的。

7.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，所述第2半透光層含有硅化鉬或其化合物。

8.如權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模，其特征在于，所述第1半透光層和所述第2半透光層彼此對(duì)對(duì)方的蝕刻條件具有耐性。

9.一種多色調(diào)光掩模的制造方法，其通過對(duì)形成于透明基板上的半透光膜和遮光膜分別進(jìn)行構(gòu)圖來形成含有遮光部、透光部和具有規(guī)定透過率的半透光部的轉(zhuǎn)印圖案，

其特征在于，所述多色調(diào)光掩模的制造方法包括：

準(zhǔn)備光掩模坯體的工序，該光掩模坯體在透明基板上形成有包含第1半透光層、第2半透光層的半透光膜并進(jìn)一步層積有遮光膜；以及

通過對(duì)所述半透光膜和所述遮光膜分別進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述遮光部、所述透光部和所述半透光部的工序，

在形成所述半透光部時(shí)，對(duì)形成于所述第1半透光層上的所述第2半透光層進(jìn)行規(guī)定量的減膜，從而通過所述第1半透光層與經(jīng)減膜的所述第2半透光層的層積來制成所述具有規(guī)定的透過率的半透光部。

10.如權(quán)利要求9所述的多色調(diào)光掩模的制造方法，其特征在于，在對(duì)所述第2半透光層膜進(jìn)行減膜的工序中，使由于所述遮光膜被蝕刻而露出的所述第2半透光層與化學(xué)藥劑接觸。

11.一種圖案轉(zhuǎn)印方法，其特征在于具有如下工序：隔著權(quán)利要求1或2所述的多色調(diào)光掩模或基于權(quán)利要求9或10的制造方法的多色調(diào)光掩模，向被轉(zhuǎn)印體照射包含i線～g線的光的曝光光，將所述轉(zhuǎn)印圖案轉(zhuǎn)印至在所述被轉(zhuǎn)印體上形成的抗蝕劑膜。