[發明專利]用于使圖形密度加倍的方法

有效

• 申請號: 201010237978.1
• 申請日: 2010-07-26
• 公開（公告）號: CN101969024A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 程慷果;B·B·多里斯;古川俊治
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種方法，包括：

在主層上沉積未摻雜的硅層；

在所述未摻雜的硅層上沉積帽層；

構圖在所述帽層上的掩蔽層，所述掩蔽層具有開口；

通過去除由所述掩蔽層中的所述開口暴露的所述未摻雜的硅層的部分和所述帽層的對應部分而將所述未摻雜的硅層構圖成硅芯部；

去除所述光致抗蝕劑層，以留下位于所述主層上的所述硅芯部以及所述硅芯部上的帽層芯部；

在這樣的工藝中將雜質引入所述硅芯部的側壁中，所述工藝使得所述硅芯部的側壁部分摻雜有雜質并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未摻雜，在單獨的硅芯部內，所述硅芯部的所述中心部分位于所述硅芯部的所述側壁部分之間；

去除所述帽層芯部而留下位于所述主層上的所述硅芯部；

執行選擇性材料去除工藝，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述側壁部分留在所述主層上；

使用所述硅芯部的所述側壁部分作為構圖掩模來至少構圖所述主層；以及

去除所述硅芯部的所述側壁部分以至少留下構圖后的所述主層。

2.根據權利要求1的方法，所述未摻雜的硅層包括非晶硅和多晶硅中的一種。

3.根據權利要求1的方法，引入所述雜質包括傾斜離子注入、等離子體摻雜、等離子體浸入離子注入、簇摻雜、浸劑摻雜、氣相摻雜、液相摻雜和固相摻雜中的一種。

4.根據權利要求1的方法，構圖所述主層包括相對于所述未摻雜的硅層而構圖位于所述主層之下的襯底。

5.根據權利要求1的方法，所述光致抗蝕劑中的所述開口具有與已知的現有技術狀態的最小光致抗蝕劑開口尺寸相當的尺寸。

6.一種方法，包括：

在主層上沉積未摻雜的硅層；

在所述未摻雜的硅層上沉積帽層；

構圖在所述帽層上的掩蔽層，所述掩蔽層具有開口；

通過去除由所述掩蔽層中的所述開口暴露的所述未摻雜的硅層的部分和所述帽層的對應部分而將所述未摻雜的硅層構圖成硅芯部，所述開口被分隔以使所述硅芯部中的一些被形成為不同的尺寸；

去除所述光致抗蝕劑層，以留下位于所述主層上的所述硅芯部以及所述硅芯部上的帽層芯部；

在這樣的工藝中將雜質引入所述硅芯部的側壁中，所述工藝使得所述硅芯部的側壁部分摻雜有雜質并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未摻雜，在單獨的硅芯部內，所述硅芯部的所述中心部分位于所述硅芯部的所述側壁部分之間；

去除所述帽層芯部而留下位于所述主層上的所述硅芯部；

執行選擇性材料去除工藝，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述側壁部分留在所述主層上；

使用所述硅芯部的所述側壁部分作為構圖掩模而至少構圖所述主層；以及

去除所述硅芯部的所述側壁部分以至少留下構圖后的所述主層。

7.根據權利要求6的方法，所述未摻雜的硅層包括非晶硅和多晶硅中的一種。

8.根據權利要求6的方法，引入所述雜質包括傾斜離子注入、等離子體摻雜、等離子體浸入離子注入、簇摻雜、浸劑摻雜、氣相摻雜、液相摻雜和固相摻雜中的一種。

9.根據權利要求6的方法，構圖所述主層包括相對于所述未摻雜的硅層而構圖位于所述主層之下的襯底。

10.根據權利要求6的方法，所述光致抗蝕劑中的所述開口具有與已知的現有技術狀態的最小光致抗蝕劑開口尺寸相當的尺寸。