[發明專利]具有能夠防止熱擴散的電熔絲的半導體集成電路

有效

• 申請號: 201010237546.0
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN102142424A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 尹英熙;崔俊基;辛尚勛
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

1.一種半導體集成電路，包括：

一對互連結構；

熔絲，所述熔絲與所述一對互連結構相連接；以及

一個或更多個散熱圖案，所述一個或更多個散熱圖案與所述一對互連結構相連接，并位于所述熔絲周圍。

2.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述一個或更多個散熱圖案包括：

主散熱圖案，所述主散熱圖案的一端與所述熔絲相鄰地設置，且另一端面對所述一對互連結構中的一個的邊緣。

3.如權利要求2所述的半導體集成電路，其中，所述主散熱圖案具有至少彎曲了一次的部分。

4.如權利要求2所述的半導體集成電路，其中，所述一個或更多個散熱圖案還包括位于所述主散熱圖案周圍的至少一個次散熱圖案。

5.如權利要求4所述的半導體集成電路，其中，所述至少一個次散熱圖案為條狀。

6.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述一個或更多個散熱圖案中的至少一個包括圍繞所述一對互連結構的邊緣的環狀散熱圖案。

7.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述一對互連結構中的一個包括第一互連結構單元和第二互連結構單元，所述第一互連結構單元具有突出部分，所述第二互連結構單元與所述第一互連結構單元間隔預定距離并具有容納所述突出部分的凹陷部分。

8.如權利要求6所述的半導體集成電路，其中，所述熔絲與所述第一互連結構單元的所述突出部分相接觸。

9.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述一對互連結構中的一個與編程電壓源相連接，而另一個與接地端子相連接。

10.一種半導體集成電路，包括：

第一下互連結構，所述第一下互連結構具有預定的面積；

第二下互連結構，所述第二下互連結構位于與所述第一下互連結構大致相同的平面上，并與所述第一下互連結構間隔預定的距離；

第一上互連結構，所述第一上互連結構被配置為與所述第一下互連結構相重疊；

第二上互連結構，所述第二上互連結構位于與所述第一上互連結構大致相同的平面上，與所述第一上互連結構間隔預定的距離，并被配置為與所述第二下互連結構相重疊；

熔絲，所述熔絲與所述第一下互連結構和所述第二上互連結構相連接；

第一組散熱路徑，所述第一組散熱路徑與所述第一下互連結構和所述第一上互連結構相連接，并位于所述熔絲周圍；以及

第二組散熱路徑，所述第二組散熱路徑與所述第二下互連結構和所述第二上互連結構相連接，并位于所述熔絲周圍。

11.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述第一組散熱路徑和所述第二組散熱路徑分別包括多個散熱圖案，且構成所述第一組散熱路徑的多個散熱圖案的數量小于構成所述第二組散熱路徑的多個散熱圖案的數量。

12.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述第一組散熱路徑和第二組散熱路徑中的至少一個包括：

主散熱圖案，所述主散熱圖案的一端與所述熔絲相鄰地設置，而另一端與所述互連結構的邊緣相鄰地設置，且所述主散熱圖案具有至少一個彎曲部分；以及

至少一個次散熱圖案，所述至少一個次散熱圖案位于所述主散熱圖案周圍。

13.如權利要求12所述的半導體集成電路，其中，所述次散熱圖案具有條狀結構。

14.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述第一下互連結構具有向所述第二下互連結構突出的突出部分，且所述第二下互連結構具有容納所述突出部分的凹陷部分。

15.如權利要求14所述的半導體集成電路，其中，所述熔絲與所述第一下互連結構的所述突出部分相接觸。

16.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述第一組散熱路徑還包括圍繞所述第一上互連結構和所述第一下互連結構的邊緣的環狀圖案。

17.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述第二組散熱路徑還包括圍繞所述第二上互連結構和所述第二下互連結構的邊緣的環狀圖案。