[發(fā)明專利]電能計量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010236731.8
• 申請日: 2010-07-26
• 公開（公告）號: CN101923112A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 冉際華;任智仁;賈俊;周宣;鄧廷;唐振中;李朝培;張波;劉振雨;史謙;許永平
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海中慧微電子有限公司
• 主分類號: G01R22/06
• 分類號: G01R22/06
• 代理公司: 廣東秉德律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計量及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電能計量數(shù)據(jù)的高可靠性管理方法。

背景技術(shù)

電子式電能表的主要工作原理是：電流電壓采樣模塊將流過供電線路的大電流和交流電壓變換為合適的小電流，小電壓信號，經(jīng)計量模塊轉(zhuǎn)換成隨功率變化的脈沖信號，微處理器(MCU)接收功率脈沖信號，更新計量數(shù)據(jù)并將其保存，計量數(shù)據(jù)經(jīng)MCU的隨機(jī)存儲器(后續(xù)簡稱為RAM-Random-access?memory)存入電可擦除只讀存儲器存儲器(后續(xù)簡稱為EEPROM)內(nèi)。

電子式電能表運(yùn)行過程中受到的干擾無處不在，隨著電子技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展，加上設(shè)計理論的不斷完善和設(shè)計方法的不斷改進(jìn)，數(shù)據(jù)存儲器因干擾而損壞的概率已經(jīng)很小了，而數(shù)據(jù)在受到干擾情況下的保護(hù)、自糾和恢復(fù)成為提高計量數(shù)據(jù)可靠性的基本方式。

現(xiàn)有電子式電能表在處理計量數(shù)據(jù)過程中的缺陷在于：(1)計量數(shù)據(jù)的自糾和恢復(fù)措施沒有或者不足；(2)對計量數(shù)據(jù)的保護(hù)欠缺，被其他數(shù)據(jù)沖亂。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明從計量數(shù)據(jù)保存和備份、更新及糾錯著手，提供一種計量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，由以下技術(shù)方案實現(xiàn)。

一種電能計量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于，包括：保存及備份區(qū)的劃分：提供相互關(guān)聯(lián)的RAM及EEPROM，RAM中設(shè)置當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)、第一備份區(qū)及掉電數(shù)據(jù)存儲區(qū)，EEPROM中設(shè)置至少兩個電量備份區(qū)和一個掉電數(shù)據(jù)備份區(qū)；計量數(shù)據(jù)的保存與備份：每次累加所獲得的最新計量數(shù)據(jù)保存在RAM的當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)；每累計K個數(shù)據(jù)量則將當(dāng)前計量數(shù)據(jù)更新到RAM的第一備份區(qū)；每累計M個數(shù)據(jù)量則將當(dāng)前計量數(shù)據(jù)更新到EEPROM中的各電量備份區(qū)，M＞K；當(dāng)前計量數(shù)據(jù)的恢復(fù)：當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)損壞時，先校驗RAM第一備份區(qū)數(shù)據(jù)，正確則覆蓋當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)；否則用EEPROM中電量備份區(qū)有效數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)；如果EEPROM內(nèi)各電量備份區(qū)數(shù)據(jù)均損壞，則報錯。

上述計量數(shù)據(jù)管理方法中，每次累加獲得最新計量數(shù)據(jù)的方法具體包括：①在進(jìn)行數(shù)據(jù)累加前，先對RAM當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗，如通過則直接累加，如不通過則執(zhí)行②；②取RAM第一備份區(qū)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗，如通過則用RAM第一備份區(qū)數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，如不通過則執(zhí)行③；③取EEPROM各電量備份區(qū)中的合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，并重新計算校驗碼，然后拷貝至各備份區(qū)。

其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過程中，需要實時判斷數(shù)據(jù)塊指針?biāo)肝恢茫词欠癯鲆?guī)定區(qū)域，如果超過或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置。

本發(fā)明有益效果在于：通過合理設(shè)置數(shù)據(jù)備份區(qū)，使得數(shù)據(jù)的保存更加可靠，并為數(shù)據(jù)的恢復(fù)提供充分準(zhǔn)備，而通過各種判斷及校驗，使得數(shù)據(jù)的恢復(fù)和更新更加精確，使得計量數(shù)據(jù)可靠性得到有效保證。此外，其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過程中，需要實時判斷數(shù)據(jù)塊指針?biāo)肝恢茫绻^或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置。從而避免對其他數(shù)據(jù)的破壞。

附圖說明

圖1為實施例提供的數(shù)據(jù)存儲方法中計量數(shù)據(jù)累加更新的處理流程圖。

圖2為實施例提供的數(shù)據(jù)存儲方法中上電時對掉電計量數(shù)據(jù)恢復(fù)的處理流程圖。

具體實施方式

實施例一：本實施例以電能表計量為例進(jìn)行說明，電能表具有相互關(guān)聯(lián)的RAM(通常為MCU自帶的RAM)及EEPROM(習(xí)慣稱之為內(nèi)卡)。該電能計量數(shù)據(jù)存儲方法主要包括：一、保存及備份區(qū)的劃分：RAM中設(shè)置當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)、第一備份區(qū)及掉電數(shù)據(jù)存儲區(qū)，EEPROM中設(shè)置三個電量備份區(qū)(名稱分別為EEPROM第二備份區(qū)、EEPROM第三備份區(qū)、EEPROM第四備份區(qū)，當(dāng)然也可以是更多個電量備份區(qū))和一個掉電數(shù)據(jù)備份區(qū)(用于存儲計量數(shù)據(jù)和相關(guān)狀態(tài)數(shù)據(jù))；二、存儲和校驗過程，包括正常運(yùn)行的的存儲和校驗及掉電時的存儲和上電數(shù)據(jù)恢復(fù)，分別說明如下：(1)正常運(yùn)行時計量數(shù)據(jù)的保存與備份：每次累加所獲得的最新計量數(shù)據(jù)保存在當(dāng)前計量數(shù)據(jù)區(qū)；每累計0.01度電時則將當(dāng)前電量數(shù)據(jù)更新到RAM第一備份區(qū)；每累計1度電時則將當(dāng)前電量數(shù)據(jù)更新到EEPROM第二備份區(qū)、EEPROM第三備份區(qū)及EEPROM第四備份區(qū)。