[發(fā)明專利]用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010236669.2
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN101886286A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪紅;李光楊;丁桂甫;姚錦元;吳義伯;楊春生
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號: C25D13/06
• 分類號: C25D13/06;C25D13/12
• 代理公司: 上海交達(dá)專利事務(wù)所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

<1>將經(jīng)過DRIE刻蝕的硅片與導(dǎo)電裝置連接為陽極或者陰極系統(tǒng)，作為導(dǎo)電裝置接電泳儀器的正極或者負(fù)極，構(gòu)成回路；

<2>將與導(dǎo)電裝置連接好的硅片放入電泳鍍膜溶液中；

<3>打開電源開始電泳鍍膜；

<4>生長完畢后，關(guān)閉電源，將硅片從電泳鍍膜溶液中取出，用去離子水超聲清洗硅通孔，洗去懸浮涂料；

<5>將清洗干凈的電泳鍍膜硅片，進(jìn)行初次烘干、二次烘干處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的硅片，經(jīng)過DRIE刻蝕出通孔的硅片，其硅片的技術(shù)參數(shù)和DRIE的刻蝕參數(shù)隨著TSV的技術(shù)指標(biāo)變化而變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的電泳鍍膜溶液，使用的電泳涂料的濃度為質(zhì)量百分比：10％-30％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的電泳涂料為聚氨酯改性環(huán)氧樹脂、改性丙烯酸樹脂、改性丙烯酸聚氨酯樹脂、丙烯酸改性環(huán)氧樹脂的一種或兩種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或者3所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的電泳鍍膜，陰極電泳鍍膜中使用的陽極板或在陽極電泳鍍膜中使用的陰極板為穩(wěn)定材料、惰性材料或者是導(dǎo)電的非金屬材料等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的電泳電壓為30V-60V；電泳時間為：10S-60S；溫度25℃-32℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的電泳鍍膜，采用超聲振蕩，以及旋轉(zhuǎn)攪拌工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的超聲清洗的頻率為：25KHZ-68KHZ，旋轉(zhuǎn)電極的轉(zhuǎn)速為：50rmp-300rpm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，其中所述的初次烘干溫度為：80℃-100℃；烘干時間為：10min-20min。

10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的用于TSV絕緣層的超薄膜濕法制備方法，其特征是，所述的二次烘干溫度為：150℃-200℃，烘干時間為：20min-30min。