[發(fā)明專利]一種太陽能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010236617.5
• 申請(qǐng)日: 2010-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN101908569A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙一輝;賀方涓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南阿格斯新能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/0352
• 代理公司: 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119
• 代理人: 陳浩

1.一種太陽能電池，包括襯底層、設(shè)置在襯底層上的背電極層、TCO層和設(shè)置在背電極層與TCO層之間的太陽能電池模組，其特征在于：所述太陽能電池模組包括一個(gè)銅銦鎵硒P-N結(jié)層和一個(gè)非晶硅P-I-N結(jié)層，所述銅銦鎵硒P-N結(jié)層的P型銅銦鎵硒薄膜層與所述背電極層之間設(shè)置有重?fù)诫s的P⁺層，所述銅銦鎵硒P-N結(jié)層的N型銅銦鎵硒緩沖層與所述非晶硅P-I-N結(jié)層的P型非晶硅層之間設(shè)置有重?fù)诫s的N⁺層，所述非晶硅P-I-N結(jié)層的N型非晶硅層與所述TCO層相鄰設(shè)置，該太陽能電池的結(jié)構(gòu)為：襯底層/背電極層/P⁺層/P型銅銦鎵硒薄膜層/N型銅銦鎵硒緩沖層/N⁺層/P型非晶硅層/I型非晶硅層/N型非晶硅層/TCO層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述N型銅銦鎵硒緩沖層與所述N⁺層之間設(shè)置有導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：所述導(dǎo)電層為n-ZnO:Al層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于：所述n-ZnO:Al層的厚度為50nm～150nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述非晶硅P-I-N結(jié)層的厚度為100nm～360nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述非晶硅P-I-N結(jié)層中P型非晶硅層、I型非晶硅層和N型非晶硅層的厚度比為：P型非晶硅層:I型非晶硅層:N型非晶硅層=（1～2）:（10～15）:（2～4）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述重?fù)诫s的P⁺層的厚度為5nm～50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池，其特征在于：所述重?fù)诫s的P⁺層中電荷載子的密度為10^20?g?/cm³～10²¹?g?/cm³。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述重?fù)诫s的N⁺層的厚度為5nm～50nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池，其特征在于：所述重?fù)诫s的N⁺層中電荷載子的密度為10²¹?g/cm³～10²²?g?/cm³。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述銅銦鎵硒P-N結(jié)層中P型銅銦鎵硒薄膜層的厚度為1.0um～2.5um。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于：所述銅銦鎵硒P-N結(jié)層中N型銅銦鎵硒緩沖層的厚度為50nm～200nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于：所述銅銦鎵硒P-N結(jié)層中N型銅銦鎵硒緩沖層的材料為ZnS、ZnSe或ZnIn₂Se₃。