[發明專利]一種薄膜光伏太陽能電池無效
| 申請號: | 201010236616.0 | 申請日: | 2010-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN101908568A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 趙一輝;賀方涓 | 申請(專利權)人: | 河南阿格斯新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人: | 陳浩 |
| 地址: | 450001 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜光伏太陽能電池,包括襯底層、設置在襯底層上的背電極層、TCO層和設置在背電極層與TCO層之間的太陽能電池模組,其特征在于:所述太陽能電池模組包括一個由銅銦鎵硒P-N結層和非晶硅P-I-N結層相鄰設置的雙結層P-N/P-I-N,所述雙結層的P型銅銦鎵硒薄膜層與所述背電極層之間設置有重摻雜的P+層,所述雙結層的N型非晶硅層與所述TCO層之間設置有重摻雜的N+層,該太陽能電池的結構為:襯底層/背電極層/P+層/P型銅銦鎵硒薄膜層/N型銅銦鎵硒緩沖層/?P型非晶硅層/I型非晶硅層/N型非晶硅層/N+層/TCO層。
2.根據權利要求1所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述非晶硅P-I-N結層的厚度為100nm~360nm。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述非晶硅P-I-N結層中P型非晶硅層、I型非晶硅層和N型非晶硅層的厚度比為:P型非晶硅層:I型非晶硅層:N型非晶硅層=(1~2):(10~15):(2~4)。
4.根據權利要求1所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的P+層的厚度為5nm~50nm。
5.根據權利要求1或4所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的P+層中電荷載子的密度為1020?g/cm3~1021g/cm3。
6.根據權利要求5所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的P+層由硒化鉬或密度為1020~1021?g/cm3的銅空缺層通過共濺射或共蒸發的方法沉積制得。
7.根據權利要求1所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的N+層的厚度為1.5nm~15nm。
8.根據權利要求1或7所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的N+層中電荷載子的密度為1020?g/cm3~1022?g/cm3。
9.根據權利要求8所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述重摻雜的N+層由氫化磷沉積制得。
10.根據權利要求1所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述銅銦鎵硒P-N結層中P型銅銦鎵硒薄膜層的厚度為1.0um~2.5um。
11.根據權利要求1所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述銅銦鎵硒P-N結層中N型銅銦鎵硒緩沖層的厚度為50nm~200nm。
12.根據權利要求1或11所述的薄膜光伏太陽能電池,其特征在于:所述銅銦鎵硒P-N結層中N型銅銦鎵硒緩沖層的材料為ZnS、ZnSe或ZnIn2Se3。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





