[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理用的成批化學(xué)氣相沉積方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010236459.3
• 申請日: 2010-07-22
• 公開（公告）號: CN101962756A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 池內(nèi)俊之;長谷川雅之;高橋敏彥;鈴木啟介
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種半導(dǎo)體處理周的成批CVD方法，該方法采用成批CVD裝置來進(jìn)行，其中，

上述裝置包括：

縱長的處理容器，其用于收納多個被處理體；

保持器具，其用于在上述處理容器內(nèi)將上述被處理體隔開間隔地層疊并支承上述被處理體；

原料氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述處理容器內(nèi)供給原料氣體，上述原料氣體供給系統(tǒng)包括用于調(diào)整上述原料氣體的供給的原料氣體閥；

反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述處理容器內(nèi)供給反應(yīng)氣體，上述反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)包括用于調(diào)整上述反應(yīng)氣體的供給的反應(yīng)氣體閥；

排氣系統(tǒng)，其用于對上述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣，上述排氣系統(tǒng)包括用于調(diào)整排氣量的排氣閥；

上述方法通過將以下循環(huán)反復(fù)進(jìn)行多次并將每一次形成的薄膜層疊起來，在上述被處理體上形成具有規(guī)定厚度的成品膜，在此，上述循環(huán)包括以下工序：

吸附工序，其用于使上述原料氣體吸附在上述被處理體上，在該工序中，通過在最初的第1期間使上述原料氣體閥為打開狀態(tài)之后使其成為關(guān)閉狀態(tài)，從而向上述處理容器內(nèi)供給上述原料氣體，將上述反應(yīng)氣體閥維持在關(guān)閉狀態(tài)而不向上述處理容器內(nèi)供給上述反應(yīng)氣體，將上述排氣閥維持在關(guān)閉狀態(tài)而不對上述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣；

第1插入工序，其自上述處理容器內(nèi)除去殘留氣體，在該工序中，將上述原料氣體閥及上述反應(yīng)氣體閥維持在關(guān)閉狀態(tài)而不向上述處理容器內(nèi)供給上述原料氣體及上述反應(yīng)氣體，使上述排氣閥為打開狀態(tài)而對上述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣；

反應(yīng)工序，其使上述反應(yīng)氣體與吸附在上述被處理體上的上述原料氣體發(fā)生反應(yīng)，在該工序中，將上述原料氣體閥維持在關(guān)閉狀態(tài)而不向上述處理容器內(nèi)供給上述原料氣體，使上述反應(yīng)氣體閥為打開狀態(tài)而向上述處理容器內(nèi)供給上述反應(yīng)氣體，通過將上述排氣閥自規(guī)定的打開狀態(tài)逐漸減小閥門開度，從而對上述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣；

第2插入工序，其自上述處理容器內(nèi)除去殘留氣體，在該工序中，將上述原料氣體閥及上述反應(yīng)氣體閥維持在關(guān)閉狀態(tài)而不向上述處理容器內(nèi)供給上述原料氣體及上述反應(yīng)氣體，使上述排氣閥成為閥門開度比上述反應(yīng)工序的最終時期的閥門開度大的打開狀態(tài)而對上述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述吸附工序中，維持上述排氣閥的關(guān)閉狀態(tài)的定義為維持上述排氣閥的閥門開度為0～2％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述第1及第2插入工序中包括向上述處理容器內(nèi)供給惰性氣體的過程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述第1及第2插入工序中不向上述處理容器內(nèi)供給任何氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

上述第1期間的長度處于上述吸附工序的長度的1～50％的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述反應(yīng)工序中，通過在最初的第2期間將上述排氣閥維持在上述規(guī)定的打開狀態(tài)而獲得上述排氣閥的上述規(guī)定的打開狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

上述第2期間的長度處于上述反應(yīng)工序的長度的1～50％的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

上述第2期間中的上述排氣閥的上述規(guī)定的打開狀態(tài)與在上述第1插入工序中使用的排氣閥的打開狀態(tài)相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述反應(yīng)工序中，不使上述排氣閥為關(guān)閉狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述反應(yīng)工序中，上述排氣閥的閥門開度的最大值與上述第1插入工序中的排氣閥的閥門開度相同，最小值為上述第1插入工序中的排氣閥的閥門開度的2％以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理用的成批CVD方法，其中，

在上述反應(yīng)工序中，不使上述反應(yīng)氣體閥為關(guān)閉狀態(tài)。