[發明專利]一種晶圓結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010235721.2
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN101958317A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 仇超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種晶圓結構，其特征在于，所述晶圓結構包括：嵌入多個埋氧化層的半導體襯底，所述多個埋氧化層在所述半導體襯底的內部橫向間隔生成。

2.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，所述半導體襯底的材料是硅。

3.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，所述埋氧化層的材料是二氧化硅。

4.根據權利要求1所述晶圓結構的制造方法，其特征在于，所述嵌入埋氧化層的半導體襯底的高度比未嵌入所述埋氧化層的半導體襯底的高度高。

5.一種晶圓結構的制造方法，其特征在于，包括：

a.在所述半導體襯底上覆蓋一掩膜層；

b.在所述掩膜上覆蓋一層光刻膠；

c.圖案化所述光刻膠；

d.以圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕所述掩膜層，直到露出半導體襯底；

e.在所述晶圓的表面注入氧離子，在露出的半導體襯底的內部生成埋氧化層；

f.對所述半導體襯底上剩余的所述光刻膠和所述掩膜層分別進行刻蝕，去除所述光刻膠和所述掩膜層；以及

g.對所述晶圓結構的表面進行拋光處理。

6.根據權利要求5所述晶圓結構的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的材料是二氧化硅或氮化硅。

7.根據權利要求5所述晶圓結構的制造方法，其特征在于，對所述晶圓結構的表面進行化學機械拋光處理。

8.根據權利要求5所述晶圓結構的制造方法，其特征在于，未嵌入所述埋氧化層的半導體襯底構成電器件的基板。

9.根據權利要求5所述晶圓結構的制造方法，其特征在于，位于所述埋氧化層之上的半導體襯底構成光器件的基板。