[發明專利]防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法有效
| 申請號: | 201010235623.9 | 申請日: | 2010-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN101916722A | 公開(公告)日: | 2010-12-15 |
| 發明(設計)人: | 李樂 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/312 | 分類號: | H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防止 邊緣 產生 鍍金 剝離 方法 | ||
1.一種防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,該晶圓的表面上形成有鈍化層,其特征在于,在所述鈍化層邊緣的表面上形成曝光后的負光刻膠,該曝光后的負光刻膠在刻蝕部分所述鈍化層形成焊盤的過程中保護所述鈍化層的邊緣不被刻蝕。
2.如權利要求1所述的防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,其特征在于,在所述鈍化層邊緣的表面上形成曝光后的負光刻膠的具體步驟是,在所述鈍化層的表面上涂覆負光刻膠;通過晶圓邊緣曝光將所述鈍化層邊緣表面上的負光刻膠曝光;通過顯影去除所述鈍化層表面上的未曝光的負光刻膠,在所述鈍化層邊緣的表面上形成負光刻膠環。
3.如權利要求2所述的防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,其特征在于,所述負光刻膠環的寬度為1~5毫米。
4.如權利要求2或3所述的防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,其特征在于,在所述鈍化層邊緣的表面上形成負光刻膠環后,在所述鈍化層的表面上涂覆正光刻膠,所述負光刻膠環包圍著所述正光刻膠。
5.如權利要求4所述的防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,其特征在于,所述鈍化層表面上的正光刻膠用于定義制作焊盤的區域。
6.如權利要求1所述的防止晶圓邊緣產生鍍金屬剝離的方法,其特征在于,在所述鈍化層邊緣的表面上形成曝光后的負光刻膠的具體步驟是,在所述鈍化層的表面上涂覆負光刻膠;通過曝光、顯影在所述鈍化層的表面上形成制作焊盤的負光刻膠圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





