[發明專利]發光二極管的制造方法無效
| 申請號： | 201010235211.5 | 申請日： | 2010-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN102339911A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 洪梓健;沈佳輝 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管的制造方法，包括下列步驟：
提供一第一基板；
在所述第一基板上生成一研磨阻止層，該研磨阻止層的硬度大于第一基板的硬度；
在所述研磨阻止層上生長一發光二極管磊晶層；
在所述發光二極管磊晶層上接合一第二基板；
研磨掉所述第一基板。
2.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述研磨阻止層的材料選自鉆石、類鉆碳、碳化硅、氧化鋁、石英、氮化硅、二氧化硅、氮化鎵、氮化鋁、氮化銦中的一種或幾種的混合。
3.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述研磨阻止層的形態為島狀、點狀或片狀。
4.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述研磨阻止層的厚度為0.7微米～2微米。
5.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述研磨阻止層為透明材料，在去除所述第一基板之后的發光二極管磊晶層形成復合式表面，還包括步驟：在所述復合式表面上形成電極。
6.如權利要求5所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：在形成電極后，還包括步驟：將所述復合式表面粗糙化。
7.如權利要求5所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：在形成電極后，通過干式或濕式蝕刻的方式對所述復合式表面進行粗糙化。
8.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述研磨阻止層為不透明材料，在去除所述第一基板之后，還包括步驟：去除所述研磨阻止層，露出發光二極管磊晶層，在所述發光二極管磊晶層上形成電極。
9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：在形成電極后，還包括步驟：將所述發光二極管磊晶層表面粗糙化。
10.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：通過化學蝕刻的方式去除所述研磨阻止層。
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