[發明專利]同源四倍體天山雪蓮植株的培育方法有效
| 申請號: | 201010235095.7 | 申請日: | 2010-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN101946699A | 公開(公告)日: | 2011-01-19 |
| 發明(設計)人: | 康喜亮;王曉軍;郝秀英;劉敏;波拉提;徐琴 | 申請(專利權)人: | 中國科學院新疆理化技術研究所 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務所 65106 | 代理人: | 張莉 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 同源 四倍體 天山 雪蓮 植株 培育 方法 | ||
1.一種同源四倍體天山雪蓮植株的培育方法,其特征在于按下列步驟進行:
a、將天山雪蓮種子用溫水浸泡20min,再用75%乙醇表面消毒20-50sec,然后用15%H2O2溶液消毒15-50min,將消毒后的種子用無菌水漂洗2-5次,再播種于MS培養基上,每瓶MS培養基播種10-30粒種子,7-15天后雪蓮種子即可萌發產生無菌苗;
b、將步驟a中萌發生長的無菌苗切除其根部和葉片,保留下胚軸莖段部分;
c、將步驟b中下胚軸莖段接種于添加有2%二甲基亞砜和濃度為0-0.20%秋水仙素的出芽誘導培養基上處理1-3d,培養溫度25-30℃,光照強度50μmol·m-2·s-1,光照時間16h·d-1,出芽誘導培養基為MS+BA0.3-0.5mg/L+TDZ0.3-0.5mg/L+NAA0.05-0.1mg/L;
d、將步驟c中處理過的下胚軸莖段轉入MS+BA0.5mg/L+TDZ0.5mg/L+NAA0.1mg/L增殖培養基中培養25-30d,培養溫度20±1℃,光照強度50μmol·m-2·s-1,光照時間16h·d-1;
e、將步驟d中增殖的苗切成單芽后轉接至1/2MS+NAA0.05-0.2mg/L生根培養基中生根;
f、天山雪蓮同源四倍體的篩選:將步驟e中的植株與二倍體對照植株做對比分析,根據二者在外觀形態如葉片寬度、葉面積以及解剖結構上氣孔保衛細胞的大小和密度之間的差異,初步確定為同源四倍體植株;
g、天山雪蓮同源四倍體的鑒定之一:隨機剪取步驟e中植株的幼嫩根尖和幼嫩不定芽莖尖組織,在溫度0-4℃,經過0.002mol/L?8-羥基喹啉預處理或飽和對二氯苯水溶液預處理,卡諾固定液固定,溫度60℃,1-2mol/L鹽酸解離6-15min,改良苯酚品紅染色液染色10-15min,壓片觀察統計根尖、幼嫩不定芽莖尖染色體,初步確定為同源四倍體植株;
h、天山雪蓮同源四倍體的鑒定之二:隨機剪取步驟e中部分植株的葉片,于常溫下在裝有3-5ml細胞核提取緩沖液的培養皿中用剪刀將其剪碎,200目尼龍網過濾,500-1000r·min~1離心漂洗3次,流式細胞儀檢測確定為同源四倍體植株;
i、天山雪蓮同源四倍體的移植:將步驟e中培育的植株洗去根部附著的殘留培養基,定植于草炭土∶珍珠巖∶蛭石=3∶1∶1的溫室苗床上,搭建拱棚,附上薄膜,每天通風一次,每次30min,每兩天澆水一次,一周后,撤去薄膜和拱棚,定期澆水,溫室培養,天山雪蓮同源四倍體植株煉苗移栽成活率達82%。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于步驟c、d和e中的培養基均為固體培養基。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于步驟g中8-羥基喹啉預處理時間為2-6h,飽和對二氯苯水溶液預處理時間為5-10h,卡諾固定液固定時間為12-36h。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于步驟i溫室苗床濕度為60%,溫室培養溫度控制在20-22℃。
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