[發明專利]改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法

有效

• 申請號: 201010235058.6
• 申請日: 2010-07-21
• 公開（公告）號: CN102339751A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 汪寧;陳曉娟;羅衛軍;龐磊;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/304
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1：在襯底正面的外延層上制作電路；

步驟2：在該電路上涂敷光刻膠膜以保護該電路結構；

步驟3：對襯底背面進行減?。?/p>

步驟4：采用熔點不同的有機粘附劑將襯底、石英薄片和陶瓷基板依次黏合，形成五層疊層結構；

步驟5：采用CMP對襯底背面進行拋光；

步驟6：分離該五層疊層結構得到背面拋光的襯底，然后采用磁控濺射在襯底背面制作Ti/Ni合金掩膜層；

步驟7：對Ti/Ni合金掩膜層進行光刻，得到Ti/Ni合金掩膜層的刻蝕圖形；

步驟8：采用ICP工藝將襯底和襯底正面生長的外延層完全刻蝕干凈，剩下Ti/Ni合金掩膜層的刻蝕圖形；

步驟9：在Ti/Ni合金掩膜層的刻蝕圖形上光刻電鍍圖形，磁控濺射Ti/W/Au起鍍層；

步驟10：在該Ti/W/Au起鍍層金屬上光刻電鍍用圖形；

步驟11：電鍍Au，然后超聲剝離出背面金屬結構；

步驟12：清洗，劃片，封裝，得到單個的氮化鎵基場效應管電路。

2.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟3中所述對襯底背面進行減薄，是采用碳化硼(B₄C)進行的，減薄完畢時襯底最終厚度＜90μm，表面粗糙度

3.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟4中所述襯底與石英薄片黏合，是將襯底正面與石英薄片黏合。

4.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟5中所述采用CMP對襯底背面進行拋光，CMP主要成分的質量比例為納米金剛石和剛玉混合物(1.2％～10％)，分散劑(0.13％～4.8％)，改性劑(1.5％～5％)，PH調節劑(0.1％～0.6％)，潤滑劑(0.02％～0.1％)，去離子水(85％～98％)，使用聚氨基甲酸乙酯樹脂作為拋光盤，拋光完畢后襯底厚度＜60μm，表面粗糙度

5.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟6中所述Ti/Ni合金掩膜層中，合金摩爾比例Ti∶Ni＝1∶4，Ti/Ni合金層的厚度2μm。

6.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟8中所述采用ICP工藝將襯底和襯底正面生長的外延層完全刻蝕干凈，蝕總深度為60μm～65μm。

7.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟9中所述Ti/W/Au起鍍層中，Ti金屬層的厚度為W金屬層的厚度為Au金屬層的厚度為

8.根據權利要求1所述的改善氮化鎵基場效應管后道工藝的方法，其特征在于，步驟11中所述電鍍Au的厚度為3μm。