[發明專利]一種金屬化共用離子注入窗口的碲鎘汞光伏探測芯片

無效

• 申請號: 201010234857.1
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN101958330A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 葉振華;馮靖文;馬偉平;陳昱;劉丹;邢雯;林春;胡曉寧;丁瑞軍;何力
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0224
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種電極金屬化共用離子注入窗口的離子注入n⁺-on-p型碲鎘汞紅外光伏探測芯片，它包括：紅外襯底(1)、光敏感元的p型有源區(2)、光敏感元的n型區(3)、探測芯片的鈍化膜(4)、離子注入窗口(5)、n型區表面上的光敏感元電極(6)、p型區表面的公共電極(7)和與讀出電路混成互連的銦柱列陣(8)；由硼離子注入形成的光敏感元的n型區列陣(3)與光敏感元的p型有源區(2)共同形成紅外光伏探測芯片的光電二極管列陣；其特征在于：

n型區表面上的光敏感元電極(6)的金屬化開口與形成n⁺-on-p光電二極管n區(3)共用離子注入窗口(5)；光敏感元電極(6)與離子注入窗口(5)是大小相等且中心法線重合的；光敏感元電極(6)的金屬化膜厚度為100-500nm，橫向尺寸為5-15μm×5-15μm；離子注入窗口(5)的厚度為50-150nm。