[發明專利]固體攝像器件及固體攝像器件制造方法有效
| 申請號: | 201010233877.7 | 申請日: | 2010-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN101989609A | 公開(公告)日: | 2011-03-23 |
| 發明(設計)人: | 吉原郁夫;長田昌也;佐佐木直人;梅林拓;高橋洋;大塚洋一;北村勇也;金口時久;井上啟司;林利彥;松谷弘康;青沼雅義;吉岡浩 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 器件 制造 方法 | ||
1.一種固體攝像器件,其包括:
第一基板,它包括用于對入射光進行光電轉換的感光部和設置在光入射側上的布線部;
透光性第二基板,它以指定間隔設置在所述第一基板的布線部側上;
貫通孔,它設置在所述第一基板中;
貫通連接部,它設置在所述貫通孔中;
正面側電極,它與所述貫通連接部連接并設置在所述第一基板的正面上;
背面側電極,它與所述貫通連接部連接并設置在所述第一基板的背面上;以及
停止電極,它設置在所述正面側電極上,并填充所述正面側電極與所述第二基板之間的空間。
2.如權利要求1所述的固體攝像器件,還包括:
濾色器層;
微透鏡;以及
覆蓋所述微透鏡的透光性保護層,
并且所述濾色器層和所述微透鏡設置在所述第一基板的布線部的光入射側上。
3.一種固體攝像器件,其包括:
第一基板,它包括用于對入射光進行光電轉換的感光部和設置在光入射側的相反側上的布線部;
透光性第二基板,它以指定間隔設置在所述第一基板的感光部側上;
第三基板,它隔著連接層設置在所述第一基板的布線部側上;
貫通孔,它設置在所述第三基板中;
貫通連接部,它設置在所述貫通孔中;
停止電極,它與所述貫通連接部連接并設置在所述連接層中;
正面側電極,它設置在所述停止電極上;
開口,它位于所述第一基板中并且延伸至所述正面側電極;以及
背面側電極,它與所述貫通連接部連接并設置在所述第三基板的背面上。
4.一種固體攝像器件制造方法,其包括如下步驟:
準備第一基板,所述第一基板包括用于對入射光進行光電轉換的感光部和設置在光入射側上的布線部;
在所述第一基板上形成正面側電極;
準備透光性第二基板,使所述第二基板以指定間隔設置在所述第一基板的布線部側上;
在所述第二基板的與所述第一基板相面對的表面上形成停止電極,所述停止電極用于規定所述第一基板與所述第二基板之間的間隔,并且當通過能量束加工工藝在所述第一基板中形成貫通孔時所述停止電極能起到停止層的作用;
以由所述停止電極規定的所述間隔將所述第一基板與所述第二基板接合;
在所述第一基板中形成延伸至所述正面側電極的貫通孔;
在所述貫通孔中形成與所述正面側電極連接的貫通連接部;以及
在所述第一基板的背面上形成與所述貫通連接部連接的背面側電極。
5.一種固體攝像器件制造方法,其包括如下步驟:
準備第一基板,所述第一基板包括用于對入射光進行光電轉換的感光部和設置在光入射側上的布線部;
在所述第一基板上形成正面側電極;
在所述第一基板的布線部的光入射側上形成濾色器層和微透鏡,然后形成覆蓋所述微透鏡的透光性保護層;
在所述正面側電極上形成開口;
在所述正面側電極上的所述開口中形成停止電極,所述停止電極用于規定所述第一基板與第二基板之間的間隔,并且當通過能量束加工工藝在所述第一基板中形成貫通孔時所述停止電極能起到停止層的作用;
以由所述停止電極規定的所述間隔將具有透光性的所述第二基板與所述第一基板接合;
在所述第一基板中形成延伸至所述正面側電極的貫通孔;
在所述貫通孔中形成與所述正面側電極連接的貫通連接部;以及
在所述第一基板的背面上形成與所述貫通連接部連接的背面側電極。
6.一種固體攝像器件制造方法,其包括如下步驟:
在被支撐基板支撐著的第一基板中形成用于對入射光進行光電轉換的感光部,并且在所述第一基板上還形成布線部;
在所述布線部上形成正面側電極;
在所述正面側電極上形成停止電極,當通過能量束加工工藝在第三基板中形成貫通孔時所述停止電極能起到停止層的作用;
隔著連接層將所述第三基板接合到所述第一基板的停止電極側上;
除去所述支撐基板,使所述第一基板露出;
在所述第一基板中形成延伸至所述正面側電極的開口;
以指定間隔將透光性第二基板與所述第一基板接合;
在所述第三基板中形成延伸至所述停止電極的貫通孔;
在所述貫通孔中形成與所述停止電極連接的貫通連接部;以及
在所述第三基板的背面上形成與所述貫通連接部連接的背面側電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





