[發明專利]轉印結構及制造轉印結構的方法有效
| 申請號: | 201010233397.0 | 申請日: | 2010-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN102336082A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 舒芳安;辛哲宏;蔡耀州;唐文忠 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | B41M5/46 | 分類號: | B41M5/46;G02F1/167 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 制造 方法 | ||
1.一種轉印結構,其特征在于,包含:
一基板;
一彩墨層,包括一作用區域;及
一膠粘裝置,用以結合所述作用區域及所述基板。
2.根據權利要求1所述的轉印結構,其特征在于,
所述膠粘裝置為設置于所述作用區域及所述基板之間的一膠粘層;及
所述膠粘裝置為一體成型于所述作用區域的一粘性材料,用以粘附所述基板。
3.根據權利要求1所述的轉印結構,其特征在于,
所述膠粘裝置的材料為環氧樹脂、聚氨基甲酸脂、氰胺壓克力或硅狀樹脂;
所述彩墨層還包含一非作用區域;
所述彩墨層為一彩色光阻層;
所述彩墨層介于一熱轉換層及所述基板之間;
所述膠粘裝置的厚度為0.8~2.5μm;
所述基板包括復數個電泳球及一薄膜晶體管;及
所述薄膜晶體管的材料包括一硅半導體或一氧化物半導體;
所述氧化物半導體為氧化鋅鎵銦。
4.根據權利要求1所述的轉印結構,其特征在于,
一輻射選擇性地照射于所述作用區域,而使所述作用區域被轉印至所述基板;
所述作用區域與所述基板之間形成一粘附力,所述作用區域與所述基板之間通過所述膠粘裝置改善所述粘附力。
5.根據權利要求1所述的轉印結構,其特征在于,還包含一彩色濾光片、一黑色矩陣及一間隔物。
6.一種制造轉印結構的方法,其特征在于,包含下列步驟:
(a)進行一粘合步驟,以粘合一第一基板與一第二基板;
(b)提供一彩墨層,所述彩墨層包括一作用區域;及
(c)進行一膠粘步驟,以結合所述作用區域及所述第二基板。
7.根據權利要求6所述的制造轉印結構的方法,其特征在于,在步驟(c)之后還包含下列步驟:
所述彩墨層包括一非作用區域,將所述非作用區域與所述第二基板分離;及
將一保護片貼附于所述作用區域。
8.根據權利要求6所述的制造轉印結構的方法,其特征在于,
一輻射選擇性地照射于所述作用區域,而使所述作用區域被轉印至所述第二基板;
所述作用區域與所述第二基板之間形成一粘著力,所述作用區域與所述第二基板之間通過一膠粘裝置改善所述粘著力;
所述彩墨層為一彩色光阻層;
所述彩墨層介于一熱轉換層及所述膠粘裝置之間;及
所述第二基板包含復數個電泳球,所述第一基板包含一薄膜晶體管。
9.一種制造轉印結構的方法,其特征在于,包含下列步驟:
(a)提供一第一基板;
(b)提供一彩墨層,所述彩墨層包括一作用區域;及
(c)進行一膠粘步驟,以結合所述作用區域及所述第一基板。
10.根據權利要求9所述的制造轉印結構的方法,其特征在于,在步驟(c)之后還包含下列步驟:
所述彩墨層包括一非作用區域,將所述非作用區域與所述第一基板分離;
粘合所述第一基板與一第二基板;及
將一保護片貼附于所述作用區域。
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