[發(fā)明專利]一種金屬鋁焊墊刻蝕方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010233241.2 | 申請日: | 2010-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN102339749A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張海洋;周俊卿 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛崢;王麗琴 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 鋁焊墊 刻蝕 方法 | ||
1.一種金屬鋁焊墊刻蝕方法,該方法包括:
在互連層的層間介質(zhì)上沉積金屬鋁;
在所述金屬鋁上形成光刻圖案;
第一刻蝕所述金屬鋁,保留金屬鋁殘留;
第二濕法過刻蝕去除所述金屬鋁殘留形成鋁焊墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述金屬鋁殘留的厚度范圍是150埃到500埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二濕法過刻蝕所用的刻蝕溶液是:由磷酸、水、硝酸和甲醇組成的混合溶液;或由濃度范圍是75%到95%磷酸、濃度范圍是20%到40%的雙氧水和水以體積比8∶1∶1的比例組成的混合溶液;或由濃度范圍是20%到40%的鹽酸、濃度范圍是20%到40%的雙氧水和水以體積比8∶1∶1的比例組成的混合溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二濕法過刻蝕的時間范圍是:去除所述金屬鋁殘留所需刻蝕時間的一倍到兩倍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





