[發明專利]一種光化學高級氧化流體處理系統

有效

• 申請號: 201010233218.3
• 申請日: 2010-07-16
• 公開（公告）號: CN102336463A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 陳健;郭美婷
• 申請（專利權）人: 福建新大陸科技集團有限公司
• 主分類號: C02F1/78
• 分類號: C02F1/78;C02F1/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域：

本發明涉及一種光化學高級氧化流體處理系統，屬于流體處理領域。

背景技術：

基于臭氧的高級氧化技術(O₃/UV，O₃/H₂O₂等)越來越廣泛的被應用于飲用水處理過程中。但是連續的單獨氣態臭氧投加裝置使得反應器內臭氧利用效率很低，大部分臭氧沒有反應就逃逸出反應器。雖然通過在反應器中填裝固體催化劑、投加過氧化氫等措施能提高臭氧的分解率和利用率，但使高級氧化設備的運行成本高昂；并且過氧化氫在儲運過程又易發生爆炸，不安全。因此需要一種成本低、安全、高效的系統來替代上述方法。

發明內容：

本發明的目的是提供一種能夠克服上述不足的低成本、安全、高效的光化學高級氧化流體處理系統來滿足實際需要。

本發明的技術方案是這樣實現的，所述光化學高級氧化流體處理系統，包含一個臭氧接觸池和若干個臭氧曝氣裝置，還包含若干組紫外線輻射裝置及其鎮流器裝置和電控制系統。臭氧接觸池分為進水區、處理區和出水區三部分，進水區的前端和出水區的后端分別設有進流口和出流口。所述紫外線輻射裝置組安裝在接觸池的處理區內，所述紫外線輻射裝置采用模塊化結構，每個紫外線輻射裝置組包含若干個紫外燈模塊，每個紫外燈模塊包含若干支紫外線燈管。接觸池的頂部設置擋板，鎮流器裝置和電控制系統設置在接觸池的上方。

為了更好的技術效果，本發明的技術方案還可以具體為如下特征：

1.所述臭氧曝氣裝置設置在接觸池的處理區底部。

2.所述紫外線輻射裝置組的前端和后端分別設置導流墻

3.在每個紫外線輻射裝置組的前端和后端分別設置導流墻，分別用于控制水流從紫外線輻射裝置前端導流墻的底部流入紫外線輻射區和從紫外線輻射裝置后端導流墻頂部流出紫外線輻射區。

4.所述紫外燈模塊中的燈管水平或豎直地安裝在模塊上。

采用此技術方案的光化學高級氧化流體處理系統具有如下優點：

1.效率高，臭氧利用率高，通過在臭氧接觸池中裝設紫外輻射裝置，運用紫外線輻射與臭氧相結合協同作用相互促進，在與流體的接觸反應中產生大量活性極強的自由基，提高臭氧的利用率。再通過自由基與有機化合物之間的加合、取代、電子轉移、斷鍵等，使水體中的大分子難降解有機物氧化降解為低毒或無毒的小分子物質，大大提高流體的處理效果。

2.安全、高效、低運行成本。無需投加其他催化劑或過氧化氫，有效降低運行成本，避免過氧化氫在儲運過程發生爆炸等不安全因素，安全、高效、低成本。

附圖說明：

圖1是本發明的光化學高級氧化流體處理系統第一個實施例的剖視圖

圖1中，1為臭氧接觸池，2為臭氧曝氣裝置，3為紫外線輻射裝置，301為紫外燈模塊，302為紫外線燈管，4為鎮流器裝置，5為電控制系統，6為進流口，7為出流口，8為擋板。W1、W2分別為紫外線輻射裝置前端和后端的導流墻，W3和W4分別為進水區A和出水區C的緩沖墻，A為進水區，B為處理區，C為出水區，H為臭氧接觸池中的水位高度。

具體實施方式：

以下結合附圖對本發明的一個實施例進行詳細描述。

如圖1所示，本實施例所示的光化學高級氧化流體處理系統包含一個臭氧接觸池1、若干個臭氧曝氣裝置2、兩組紫外線輻射裝置3及其鎮流器裝置4和電控制系統5組成，所述臭氧接觸池分為進水區A、處理區B和出水區C三個部分，進水區的前端和出水區的后端分別設有進流口6和出流口7，所述紫外線輻射裝置3安裝在臭氧接觸池1的處理區B內。

在每組紫外線輻射裝置3的前端和后端分別置導流墻W1和W2，所述導流墻W1和W2的兩端與接觸池側壁封閉，紫外線輻射裝置3前端的導流墻W1始于接觸池的頂部且其底部與接觸池的底部之間不密封以保證水從導流墻W1底部流入紫外線輻射區，紫外線輻射裝置3后端的導流墻W2始于接觸池的底部且其頂部低于接觸池的頂部，以保證水從導流墻W2頂部流出紫外線輻射區，如圖中所示，紫外線輻射裝置3采用模塊化結構，每個紫外線輻射裝置組包含若干個紫外燈模塊，每個紫外燈模塊301包含若干支紫外線燈管302，本實施例中紫外線燈管302燈管水平安裝在模塊上，紫外線燈管302浸沒在流體中處于臭氧接觸池中水位高度H以下。接觸池的底部設置若干個臭氧曝氣裝置2，不斷地釋放臭氧使臭氧氣體與被處理流體充分接觸。臭氧接觸池1的頂部設置擋板8，鎮流器裝置4和電控制系統5設置在接觸池的上方。