[發明專利]一種多晶硅平坦化方法有效
| 申請號： | 201010233192.2 | 申請日： | 2010-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN102339743A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 姜立維;陳亞威;周儒領 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 平坦 方法 | ||
1.一種多晶硅平坦化方法，在晶片器件面的存儲單元區形成頂部具有氮化硅蓋層的柵極，所述晶片器件面的存儲單元區和外圍電路區沉積多晶硅之后，其特征在于，該方法包括：
在所述多晶硅上沉積第一二氧化硅層；
在所述第一二氧化硅層上沉積氮化硅層；
在存儲單元區以第一二氧化硅層為停止層，干法刻蝕去除存儲單元區的氮化硅層；
在晶片器件面沉積表面最低點高于所述氮化硅蓋層表面的第二二氧化硅層；
以存儲單元區的氮化硅蓋層和外圍電路區的氮化硅層為停止層，多晶硅化學機械研磨所述晶片器件面的第二二氧化硅層、存儲單元區的第一二氧化硅層和多晶硅層；
去除殘留的第一二氧化硅層和第二二氧化硅層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一二氧化硅層厚度范圍是100～300埃。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沉積第一二氧化硅層的方法是等離子增強化學氣相沉積。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層厚度范圍是200～350埃。
5.根據權利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述沉積氮化硅層采用等離子增強化學氣相沉積方法。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二二氧化硅層的厚度范圍是800～1100埃。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二二氧化硅層采用等離子增強化學氣相沉積方法。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅化學機械研磨所用的研磨料是氧化物研磨料，所述氧化物研磨料在多晶硅和二氧化硅之間的刻蝕選擇比范圍是0.8～1.2。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除殘留的第一二氧化硅層和第二二氧化硅層之前，多晶硅回刻，以第一二氧化硅層為刻蝕停止層去除外圍電路區的氮化硅層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述多晶硅回刻的刻蝕深度范圍是300～500埃。
11.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述多晶硅回刻的多晶硅和氮化硅刻蝕選擇比范圍是0.8～1.2。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010233192.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于管材連接的三通接頭
- 下一篇：一種用于挖掘機工作裝置油管安裝的減震墊
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
