[發(fā)明專利]電子回旋共振磁性模塊與電子回旋共振裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010232871.8 | 申請(qǐng)日: | 2010-07-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102340921A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志振;黃昆平;李侃峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H05H1/46 | 分類號(hào): | H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 回旋 共振 磁性 模塊 裝置 | ||
1.一種電子回旋共振磁性模塊,包括:
多層導(dǎo)磁環(huán)體,每一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)體具有內(nèi)環(huán)壁與外環(huán)壁,每一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)開設(shè)有多個(gè)徑向孔;以及多個(gè)磁柱,其分別嵌入于該多層導(dǎo)磁環(huán)體所具有的徑向孔內(nèi),其中,相鄰的兩導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)的磁柱,所具有的磁場(chǎng)方向相反。
2.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中該多層導(dǎo)磁環(huán)體的外圍還設(shè)置有導(dǎo)磁套筒。
3.如權(quán)利要求2所述的電子回旋共振磁性模塊,其中該導(dǎo)磁套筒的材質(zhì)為硅鋼或者是軟鐵。
4.如權(quán)利要求2所述的電子回旋共振磁性模塊,其產(chǎn)生至少875高斯的磁場(chǎng)。
5.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中該多層的數(shù)量為偶數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中該多層的數(shù)量為奇數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,每一個(gè)徑向孔貫通該內(nèi)環(huán)壁與該外環(huán)壁。
8.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,相鄰的導(dǎo)磁環(huán)體間通過一支撐結(jié)構(gòu)而保持有一間距。
9.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中該磁柱的截面為圓形、橢圓、多邊形、具有曲度的截面輪廓或者是具有曲度以及線性側(cè)邊組合的輪廓。
10.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中在同一導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)的全部磁柱,所具有的磁場(chǎng)方向均相同。
11.如權(quán)利要求1所述的電子回旋共振磁性模塊,其中導(dǎo)磁環(huán)體外徑為15厘米,磁柱長(zhǎng)度為3厘米,直徑為2厘米,每一個(gè)磁柱充磁至5000高斯。
12.一種電子回旋共振裝置,包括:
腔體;
波導(dǎo)模塊,其與該腔體相耦接;
石英罩,其設(shè)置于該腔體內(nèi);
磁性模塊,其環(huán)設(shè)于該腔體的外圍,該磁性模塊具有多層導(dǎo)磁環(huán)體以及多個(gè)磁柱,該多層導(dǎo)磁環(huán)體,每一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)體具有內(nèi)環(huán)壁與外環(huán)壁,每一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)開設(shè)有多個(gè)徑向孔,該多個(gè)磁柱,其分別嵌入于該多層導(dǎo)磁環(huán)體所具有的徑向孔內(nèi),其中,相鄰的兩導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)的磁柱,所具有的磁場(chǎng)方向相反;以及
承載臺(tái),其設(shè)置于該腔體內(nèi)。
13.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中該多層導(dǎo)磁環(huán)體的外圍還設(shè)置有導(dǎo)磁套筒。
14.如權(quán)利要求13所述的電子回旋共振裝置,其中該導(dǎo)磁套筒的材質(zhì)為硅鋼或者是軟鐵。
15.如權(quán)利要求13所述的電子回旋共振裝置,其中該磁性模塊產(chǎn)生至少875高斯的磁場(chǎng)。
16.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其為橫向電場(chǎng)電子回旋共振裝置。
17.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其為橫向磁場(chǎng)電子回旋共振裝置。
18.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其于大氣壓力5x10-5托爾以上及一定的微波功率下產(chǎn)生等離子體以于設(shè)置于該承載臺(tái)上的基材形成大面積的鍍膜。
19.如權(quán)利要求18所述的電子回旋共振裝置,其中該鍍膜層為石墨烯。
20.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中該多層的數(shù)量為偶數(shù)。
21.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中該多層的數(shù)量為奇數(shù)。
22.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,每一個(gè)徑向孔貫通該內(nèi)環(huán)壁與該外環(huán)壁。
23.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,相鄰的導(dǎo)磁環(huán)體間通過一支撐結(jié)構(gòu)而保持有一間距。
24.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中該磁柱的截面為圓形、橢圓、多邊形、具有曲度的截面輪廓或者是具有曲度以及線性側(cè)邊組合的輪廓。
25.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中在同一導(dǎo)磁環(huán)體內(nèi)的全部磁柱,所具有的磁場(chǎng)方向均相同。
26.如權(quán)利要求12所述的電子回旋共振裝置,其中導(dǎo)磁環(huán)體外徑為15厘米,磁柱長(zhǎng)度為3厘米,直徑為2厘米,每一個(gè)磁柱充磁至5000高斯。
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