[發(fā)明專(zhuān)利]可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010232685.4
• 申請(qǐng)日: 2010-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101914808A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張志強(qiáng);黃振飛;黃強(qiáng);袁為進(jìn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/14
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 常州市維益專(zhuān)利事務(wù)所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，包括爐腔(1)、爐腔(1)內(nèi)具有保溫筒(2)、熱屏裝置和坩堝(3)，保溫筒(2)包圍在坩堝(1)外側(cè)，熱屏裝置蓋設(shè)在保溫筒(2)上形成封閉式熱場(chǎng)，通入爐腔(1)上部的保護(hù)氣體通過(guò)熱屏裝置向下進(jìn)入坩堝(3)，然后通過(guò)熱屏裝置與坩堝(3)之間的間隙向上流動(dòng)進(jìn)入熱屏裝置與保溫筒(2)所圍形成的保溫腔，其特征是：在所述的熱屏裝置上開(kāi)設(shè)導(dǎo)氣孔(4)，保護(hù)氣體直接通過(guò)導(dǎo)氣孔(4)進(jìn)入保溫腔上部，導(dǎo)氣孔(4)的兩端開(kāi)口高于坩堝(3)上沿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，其特征是：所述的熱屏裝置包括熱屏支撐板(5)和架設(shè)在熱屏支撐板(5)上的熱屏(6)，導(dǎo)氣孔(4)設(shè)置在熱屏(6)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，其特征是：所述的導(dǎo)氣孔(4)位于熱屏(6)的上部，并且沿?zé)崞?6)圓周均勻分布，所有導(dǎo)氣孔(4)與熱屏(6)上沿的距離相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，其特征是：所述的導(dǎo)氣孔(4)與熱屏(6)上沿的距離為30～50mm；導(dǎo)氣孔(4)為圓形或多邊形，流通面積為20-50mm²；導(dǎo)氣孔(4)的個(gè)數(shù)為6～36個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，其特征是：所述的熱屏裝置包括熱屏支撐板(5)和架設(shè)在熱屏支撐板(5)上的熱屏(6)，導(dǎo)氣孔(4)設(shè)置在熱屏支撐板(5)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可消除揮發(fā)份在熱屏外側(cè)沉積的單晶爐熱場(chǎng)，其特征是：所述的導(dǎo)氣孔(4)沿?zé)崞林伟?5)圓周均勻分布。