[發明專利]近接感應的手勢偵測方法無效
| 申請號: | 201010232284.9 | 申請日: | 2010-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN102339154A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 陳亦達;顏敏峰 | 申請(專利權)人: | 誼達光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感應 手勢 偵測 方法 | ||
1.一種近接感應的手勢偵測方法,其特征在于,運用于具有多個感應軸的一面板,該些感應軸設置于該面板周邊,每個該感應軸具有多個近接感應單元,該方法包含以下步驟:
于每個該感應軸的該些近接感應單元偵測一對象的移動而產生多個初始感應量;
依據每個該感應軸所偵測的該些初始感應量計算至少一個初始坐標;
偵測該對象的移動而產生多個接續感應量;
依據每個該感應軸所偵測的該些接續感應量計算至少一個接續坐標;
依據每個該感應軸的該至少一個初始坐標與該至少一個接續坐標,決定該感應軸的至少一移動趨勢;及
于一預設時間內,依據該些感應軸的該些移動趨勢決定一手勢。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該預設時間為0.1~3秒。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,水平設置于該面板周邊的該感應軸所偵測的該移動趨勢包含:
一正方向趨勢,對應于該對象往右移動;及
一負方向趨勢,對應于該對象往左移動。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,垂直設置于該面板周邊的該感應軸所偵測的該移動趨勢包含:
一上方向趨勢,對應于該對象往上移動;及
一下方向趨勢,對應于該對象往下移動。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,更包含以下步驟:
計算一停留時間內該對象靠近該些近接感應單元所產生的一平均感應量;及
判斷該平均感應量超過一預設門坎時,進入一手勢偵測模式。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,該停留時間為0.1~5秒內。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,更包含以下步驟:
依據該些感應軸的該些移動趨勢產生一移動軌跡;及
依據該移動軌跡決定該手勢。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,該手勢選自:
對應于向上軌跡的向上移動手勢;
對應于向下軌跡的向下移動手勢;
對應于向左軌跡的上一個手勢;
對應于向右軌跡的返回手勢;
對應于向左上軌跡的刪除手勢;
對應于向左下軌跡的復原手勢;
對應于向右上軌跡的復制手勢;
對應于向右下軌跡的貼上手勢;
對應于逆時針旋轉軌跡的重做手勢;
對應于順時針旋轉軌跡的復原手勢;
對應于上下來回軌跡的自定義選項;
對應于左右來回軌跡的自定義選項;
對應于左上至右下斜角來回軌跡的自定義選項;
對應于右上至左下斜角來回軌跡的自定義選項;
對應于水平左下軌跡的自定義選項;及
對應于垂直左下軌跡的自定義選項。
9.一種近接感應的手勢偵測方法,其特征在于,運用于具有多個感應軸的一面板,該些感應軸設置于該面板周邊,每個該感應軸具有多個近接感應單元,該方法包含以下步驟:
于每個該感應軸該些近接感應單元偵測一對象的移動而產生多個初始感應量;
依據每個該感應軸所偵測的該些初始感應量計算至少一個初始坐標;
偵測該對象的移動而產生多個接續感應量;
依據每個該感應軸所偵測的該些接續感應量計算至少一個接續坐標;
依據每個該感應軸的該至少一個初始坐標與至少一個該接續坐標,決定該感應軸的至少一移動趨勢;及
于一預設時間內,依據該些感應軸的該些移動趨勢與該些近接感應單元的該些初始感應量的大小、該些接續感應量的大小決定一手勢。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,該預設時間為0.1~3秒。
11.如權利要求9所述的方法,其特征在于,水平設置于該面板周邊的該感應軸所偵測的該移動趨勢包含:
一正方向趨勢,對應于該對象往右移動;及
一負方向趨勢,對應于該對象往左移動。
12.如權利要求9所述的方法,其特征在于,垂直設置于該面板周邊的該感應軸所偵測的該移動趨勢包含:
一上方向趨勢,對應于該對象往上移動;及
一下方向趨勢,對應于該對象往下移動。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于誼達光電科技股份有限公司,未經誼達光電科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010232284.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種功率VDMOSFET結構的設計方法
- 下一篇:硅納米管的制作方法





