[發明專利]超大規模集成電路多層銅布線化學機械拋光后的潔凈方法無效
| 申請號： | 201010232256.7 | 申請日： | 2010-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN101908503A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 劉玉嶺;黃妍妍;檀柏梅;高寶紅;周強 | 申請（專利權）人： | 河北工業大學 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;B08B1/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津市三利專利商標代理有限公司 12107 | 代理人： | 楊紅 |
| 地址： | 300130*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超大規模集成電路 多層 布線 化學 機械拋光 潔凈 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超大規模集成電路多層銅布線化學機械拋光后的潔凈方法，具體清洗方法步驟如下：
(1)制備水拋液，按重量份數計(份)
非離子表面活性劑0.1-5
阻蝕劑0.1-7
螯合劑0.1-0.6
余量為去離子水；
(2)用三乙醇胺調節水拋清洗液的pH值等于7-8；
(3)在多層銅布線化學機械拋光后立即使用(1)制成的水拋液進行水拋，流量500ml/min-5000ml/min，時間0.5-1分鐘；
(4)使用TCQ-250超聲波清洗機，在去離子水中對拋光后的Cu布線晶圓超聲清洗，超聲頻率為60Hz，溫度均控制在50℃，超聲時間0.5-1分鐘；
(5)取出后干燥。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
