[發(fā)明專利]氮化鉻新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010231981.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-07-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101928926A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘宇強(qiáng);徐智;陳孟財(cái);孔斌輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 潘宇強(qiáng) |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518126 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 新型 復(fù)合材料 smt 金屬 掩膜板 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子元件表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種利用新型復(fù)合材料制作高精度貼裝孔掩膜板的制作方法。?
背景技術(shù)
隨著生活水平的不斷提高,人們對(duì)各種電子電器產(chǎn)品的追求日益小型化,以便攜帶和擺放,但是傳統(tǒng)使用的穿孔插放電子元件的方法已無(wú)法再將產(chǎn)品體積縮小;為了電子產(chǎn)品功能更完整,特別是大規(guī)模、高集成IC,不得不采用在模板表面貼片元件;傳統(tǒng)的電子元件表面貼裝制作方法有掩膜板蝕刻制作法、掩膜板激光切割法等,但是傳統(tǒng)制作掩膜板的方法存在以下不足之處:其一、掩膜板表面不夠光亮,不利于錫膏在掩膜板上的滾動(dòng)及印刷時(shí)掩膜板與PCB的零接觸;其二、傳統(tǒng)的掩膜板其硬度在370HVB,普通激光掩膜板的使用壽命不夠長(zhǎng),只有5-8萬(wàn)次;批量大的生產(chǎn)要頻繁的更新掩膜板,生產(chǎn)成本增加;其三、傳統(tǒng)方法制作的掩膜板與錫膏中的吸附拉力較大,對(duì)錫膏的脫模成型造成不便;其四、傳統(tǒng)方法制作的掩膜板,印刷錫膏后錫膏較易殘留孔內(nèi),導(dǎo)致鋼網(wǎng)需要頻繁清洗,使得生產(chǎn)效率不高。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的諸多不足,旨在提供一種制作出的掩膜板表面精度高且便于貼裝的新型材料掩膜板的制作方法,。?
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:氮化鉻新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法,包括以下步驟:?
a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔,貼裝孔穿透掩膜板;?
b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi),對(duì)磁控濺射設(shè)備的緩沖室進(jìn)行抽真空處理,使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2×104帕的真空環(huán)境;?
c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150-200攝氏度;?
d)通過0.025-0.035Wb磁通量的磁場(chǎng)同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)將高密度的金屬耙材納米氮化鉻激發(fā)出高密度的微離子體,微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,高速度轟擊靶面,使靶面上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向掩膜板的表面淀積一層約500-1500納米的模;?
e)對(duì)掩膜板進(jìn)行退火處理,冷卻便完成了氮化鉻新型復(fù)合材料掩膜板的制作。?
下面對(duì)以上技術(shù)方案作進(jìn)一步闡述:?
所述a步驟制成的掩膜板其貼裝孔為一被掩膜板一面橫截的凌錐形孔剩留的空槽部分;貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為3-30μm,貼裝孔的中心距與掩膜板厚度最小比值為1,貼裝孔其孔壁粗糙度為0.4μm。?
所述a步驟制成的掩膜板由不銹鋼材料和納米氮化鉻復(fù)合制成,其可控硬度為450-500HV。?
本發(fā)明的有益效果是:其一、本發(fā)明制作的掩膜板,通過對(duì)掩膜板表面磁控濺射氮化鉻的納米模,使得掩膜板表面光亮,有利于焊膏印刷時(shí),錫珠在掩膜板上的滾動(dòng);其二、本發(fā)明制作的掩膜板其表面光亮平整,能保證焊膏印刷時(shí),PCB板與掩膜板之間形成良好的密封性,以便焊膏印刷在PAD上很好的成型;其三、本發(fā)明制作的掩膜板其硬度比普通不銹鋼片制作的掩膜板提高20%-40%(由原來的370HVB提高到450-500HVB),同時(shí)強(qiáng)度及韌性也有較大幅度的提高,讓掩膜板耐磨不易變形,大大提高掩膜板的重復(fù)使用次數(shù),即大大的提高了掩膜板的使用壽命,降低了的電子組裝的成本;其四、通過納米技術(shù)微離子濺射產(chǎn)生的掩膜板,確保孔壁的光滑無(wú)毛刺,利于脫模,減少掩膜板?在印刷孔內(nèi)壁殘留大面積的錫膏,從而減少了對(duì)掩膜板的清洗次數(shù),提高了組裝生產(chǎn)效率。?
附圖說明
圖1是本發(fā)明的制作方法流程圖;?
圖2是發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;?
附圖標(biāo)記:1、掩膜板;2、貼裝孔。?
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明:?
參照?qǐng)D1所示,本發(fā)明提供的氮化鉻新型復(fù)合材料SMT金屬掩膜板之制作方法包括以下步驟:?
a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔,貼裝孔穿透掩膜板;?
b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi),對(duì)磁控濺射設(shè)備的緩沖室進(jìn)行抽真空處理,使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2×104帕的真空環(huán)境;?
c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150-200攝氏度;?
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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