[發(fā)明專利]一種IGBT集電極過壓雙重保護(hù)的監(jiān)控方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010231980.8
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN101916985A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李新峰;王帥;毛宏建
• 申請（專利權(quán)）人: 美的集團(tuán)有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/20;H02H3/06
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是一種IGBT集電極過壓雙重保護(hù)的監(jiān)控方法，特別是一種用于電磁爐功率控制器件IGBT集電極電壓超過其額定工作電壓時(shí)對IGBT進(jìn)行保護(hù)、防止IGBT過壓損壞的保護(hù)方法，屬于電磁爐功率控制器件IGBT保護(hù)監(jiān)控方法的創(chuàng)新技術(shù)。

背景技術(shù)

目前電磁爐功率控制器件絕緣柵雙極型晶體管(簡稱IGBT)都設(shè)有過壓保護(hù)電路，此保護(hù)電路檢測到IGBT集電極C過壓時(shí)自動(dòng)減小IGBT開通時(shí)間，但I(xiàn)GBT開通時(shí)間不能減少太多，否則電磁爐功率波動(dòng)太大，所以為了電磁爐功率穩(wěn)定，IGBT開通時(shí)間減小的值相對較小，但電網(wǎng)電壓有較大波動(dòng)時(shí)，IGBT開通時(shí)間減小后仍然會出現(xiàn)IGBT集電極C電壓過高的情況，甚至比開通時(shí)間減小前還高，當(dāng)IGBT集電極C電壓高到一定值后就會出現(xiàn)IGBT過壓損壞問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于考慮上述問題而提供一種能實(shí)現(xiàn)對IGBT集電極電壓的實(shí)時(shí)監(jiān)控，可有效解決現(xiàn)有技術(shù)中對IGBT過壓保護(hù)不及時(shí)、導(dǎo)致IGBT損壞的技術(shù)問題，提高電磁爐整機(jī)的安全可靠性能的IGBT集電極過壓雙重保護(hù)的監(jiān)控方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：本發(fā)明的IGBT集電極過壓雙重保護(hù)的監(jiān)控方法，包括有IGBT集電極壓雙重保護(hù)電路，IGBT集電極壓雙重保護(hù)電路包括IGBT、微控制器、IGBT驅(qū)動(dòng)電路、電阻R1、電阻R2，IGBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與IGBT的柵極G連接，IGBT的集電極C通過串聯(lián)的分壓電阻R1、電阻R2分壓后連接微控制器的輸入端，微控制器的輸出端與IGBT驅(qū)動(dòng)電路輸入端連接，微控制器包括比較器CMP1、CMP2，第一IGBT控制電路、第二IGBT控制電路，比較器CMP1、CMP2的負(fù)輸入端分別連接參考電壓Vref1、Vref2，輸出端分別連接第一IGBT控制電路、第二IGBT控制電路，其中比較器CMP1輸出高電平時(shí)，通過第一IGBT控制電路的處理，微控制器產(chǎn)生中斷處理程序INT1；所述比較器CMP2輸出高電平時(shí)，通過第二IGBT控制電路的處理，IGBT關(guān)斷，微控制器產(chǎn)生中斷處理程序INT2。

上述參考電壓Vref1和Vref2的大小通過微控制器內(nèi)部相關(guān)寄存器進(jìn)行選擇，且Vref1＞Vref2。

上述每進(jìn)入一次中斷程序INT1，IGBT的下一個(gè)開通時(shí)間Ton減小時(shí)間ΔT，且ΔT＜Ton。

上述每進(jìn)入一次中斷程序INT2，IGBT被一直關(guān)斷，直到微控制器內(nèi)部有一個(gè)重新啟動(dòng)信號IGBT才能重新開通。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果：本發(fā)明微控制器通過對IGBT?C極電壓異常的檢測，及時(shí)的減小IGBT開通時(shí)間或者直接關(guān)斷IGBT來確保功率器件IGBT工作在正常狀態(tài)，通過對電磁爐IGBT?C極電壓的實(shí)時(shí)監(jiān)控，有效解決現(xiàn)有技術(shù)中對IGBT過壓保護(hù)不及時(shí)、導(dǎo)致IGBT損壞的技術(shù)問題，提高電磁爐整機(jī)的安全可靠性能。本發(fā)明是一種設(shè)計(jì)巧妙，性能優(yōu)良，方便實(shí)用的IGBT?C極過壓雙重保護(hù)的監(jiān)控方法。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的電路原理圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的INT1中斷處理程序流程圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的INT2中斷處理程序流程圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例：

本發(fā)明的電路原理圖如圖1所示，包括有IGBT集電極壓雙重保護(hù)電路，IGBT集電極壓雙重保護(hù)電路包括IGBT、微控制器1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路2、電阻R1、電阻R2，IGBT驅(qū)動(dòng)電路2的輸出端與IGBT的柵極G連接，IGBT的集電極C通過串聯(lián)的分壓電阻R1、電阻R2分壓后連接微控制器1輸入端，微控制器1的輸出端與IGBT驅(qū)動(dòng)電路2的輸入端連接，微控制器1包括比較器CMP1、CMP2，第一IGBT控制電路11、第二IGBT控制電路12，比較器CMP1、CMP2的負(fù)輸入端分別連接參考電壓Vref1、Vref2，輸出端分別連接第一IGBT控制電路11、第二IGBT控制電路12，其中比較器CMP1輸出高電平時(shí)，通過第一IGBT控制電路11的處理，微控制器1產(chǎn)生中斷處理程序INT1；所述比較器CMP2輸出高電平時(shí)，通過第二IGBT控制電路12的處理，IGBT關(guān)斷，微控制器1產(chǎn)生中斷處理程序INT2。

上述參考電壓Vref1和Vref2的大小通過微控制器1內(nèi)部相關(guān)寄存器進(jìn)行選擇，且Vref1＞Vref2。

上述每進(jìn)入一次中斷程序INT1，IGBT的下一個(gè)開通時(shí)間Ton減小時(shí)間ΔT，且ΔT＜Ton。

本實(shí)施例中，上述每進(jìn)入一次中斷程序INT2，IGBT被一直關(guān)斷，直到微控制器1內(nèi)部有一個(gè)重新啟動(dòng)信號IGBT才能重新開通。