[發明專利]氮化鈦新型復合材料的SMT金屬掩模板之制作方法無效
| 申請號: | 201010231950.7 | 申請日: | 2010-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN101906615A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 潘宇強;徐智;陳孟財;孔斌輝 | 申請(專利權)人: | 潘宇強 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮化 新型 復合材料 smt 金屬 模板 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子元件表面貼裝技術領域,尤其涉及一種利用新型復合材料制作高精度貼裝孔掩模板的制作方法。
背景技術
隨著生活水平的不斷提高,人們對各種電子電器產品的追求日益小型化,以便攜帶和擺放,但是傳統使用的穿孔插放電子元件的方法已無法再將產品體積縮小;為了電子產品功能更完整,特別是大規模、高集成IC,不得不采用在模板表面貼片元件;傳統的電子元件表面貼裝制作方法有掩模板蝕刻制作法、掩模板激光切割法等,但是傳統制作掩模板的方法存在以下不足之處:其一、掩模板表面不夠光亮,不利于錫膏在掩模板上的滾動及印刷時掩模板與PCB的零接觸;其二、傳統的掩模板其硬度在370HVB,普通激光掩模板的使用壽命不夠長,只有5-8萬次;批量大的生產要頻繁的更新掩模板,生產成本增加;其三、傳統方法制作的掩模板與錫膏中的吸附拉力較大,對錫膏的脫模成型造成不便;其四、傳統方法制作的掩模板,印刷錫膏后錫膏較易殘留孔內,導致鋼網需要頻繁清洗,使得生產效率不高。
發明內容
本發明針對上述現有技術的諸多不足,旨在提供一種制作出的掩模板表面精度高且便于貼裝的新型材料掩模板的制作方法,。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:氮化鈦新型復合材料的SMT金屬掩模板之制作方法,包括以下步驟:
a)在掩模板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔,貼裝孔穿透掩模板;
b)將掩模板進行清洗處理后置于磁控濺射設備的緩沖室內,對磁控濺射設備的緩沖室進行抽真空處理,使得磁控濺射設備的緩沖室處于2×104帕的真空環境;
c)將置于磁控濺射設備緩沖室內掩模板加熱到150-200攝氏度;
d)通過0.025-0.035Wb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材納米氮化鈦激發出高密度的微離子體,微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,高速度轟擊靶面,使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩模板的表面淀積一層約500-1500納米的膜;
e)對掩模板進行退火處理,冷卻便完成了氮化鈦新型復合材料掩模板的制作。
下面對以上技術方案作進一步闡述:
所述a步驟制成的掩模板其貼裝孔為一被掩模板一面橫截的凌錐形孔剩留的空槽部分;貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為3-30μm,貼裝孔的中心距與掩模板厚度最小比值為1,貼裝孔其孔壁粗糙度為0.4μm。
所述a步驟制成的掩模板由不銹鋼材料和納米氮化鈦復合制成,其可控硬度為450-500HV。
本發明的有益效果是:其一、本發明制作的掩模板,通過對掩模板表面磁控濺射氮化鈦的納米膜,使得掩模板表面光亮,有利于焊膏印刷時,錫珠在掩模板上的滾動;其二、本發明制作的掩模板其表面光亮平整,能保證焊膏印刷時,PCB板與掩模板之間形成良好的密封性,以便焊膏印刷在PAD上很好的成型;其三、本發明制作的掩模板其硬度比普通不銹鋼片制作的掩模板提高20%-40%(由原來的370HVB提高到450-500HVB),同時強度及韌性也有較大幅度的提高,讓掩模板耐磨不易變形,大大提高掩模板的重復使用次數,即大大的提高了掩模板的使用壽命,降低了的電子組裝的成本;其四、通過納米技術微離子濺射產生的掩模板,確保孔壁的光滑無毛刺,利于脫模,減少掩模板在印刷孔內壁殘留大面積的錫膏,從而減少了對掩模板的清洗次數,提高了組裝生產效率。
附圖說明
圖1是本發明的制作方法流程圖;
圖2是發明的剖面結構示意圖;
附圖標記:1、掩模板;2、貼裝孔。
下面結合附圖對本發明作進一步說明:
參照圖1所示,本發明提供的氮化鈦新型復合材料SMT金屬掩模板之制作方法包括以下步驟:
a)在掩模板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔,貼裝孔穿透掩模板;
b)將掩模板進行清洗處理后置于磁控濺射設備的緩沖室內,對磁控濺射設備的緩沖室進行抽真空處理,使得磁控濺射設備的緩沖室處于2×104帕的真空環境;
c)將置于磁控濺射設備緩沖室內掩模板加熱到150-200攝氏度;
d)通過0.025-0.035Wb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材納米氮化鈦激發出高密度的微離子體,微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,高速度轟擊靶面,使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩模板的表面淀積一層約500-1500納米的膜;
e)對掩模板進行退火處理,冷卻便完成了氮化鈦新型復合材料掩模板的制作。
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