[發(fā)明專利]超大規(guī)模集成電路鋁布線拋光后晶片表面潔凈處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010231677.8 | 申請日: | 2010-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN101901783A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉玉嶺;周建偉;胡軼 | 申請(專利權)人: | 河北工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 天津市三利專利商標代理有限公司 12107 | 代理人: | 楊紅 |
| 地址: | 300130*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超大規(guī)模集成電路 布線 拋光 晶片 表面 潔凈 處理 方法 | ||
1.一種超大規(guī)模集成電路鋁布線拋光后晶片表面潔凈處理方法,其特征是:具體步驟如下,
(1)制備水拋液:按重量份數(shù)計(份)
取去離子水,邊攪拌邊加入表面活性劑0.5%-5%,F(xiàn)A/OII型螯合劑0.1-5%,F(xiàn)A/O?II型阻蝕(氧)劑0.01-5%,攪拌均勻后制備成中性水拋液;
(2)鋁布線化學機械拋光工序中拋光后不抬起拋光盤立即使用上述堿性水拋液采用大流量的方法對工件進行水拋,以使表面潔凈。
2.根據(jù)權利要求1所述的所述超大規(guī)模集成電路鋁布線拋光后晶片表面潔凈處理方法,其特征是:所述中性水拋液大流量水拋的流量為1000ml/min-5000ml/min,時間為0.5-2分鐘,水拋時工件壓力為零或只保留拋光盤自身重量對工件的壓力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





