[發明專利]具有低缺陷整體窗的化學機械拋光墊

有效

• 申請號: 201010231569.0
• 申請日: 2010-07-08
• 公開（公告）號: CN102310366A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: M·J·庫爾普;S·H·威廉姆斯
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號: B24D13/14
• 分類號: B24D13/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生;周承澤

1.一種化學機械拋光墊，其包括：

拋光層，其包括拋光表面和整體窗；

所述整體窗在所述拋光層中成為一體；

所述整體窗是固化劑與異氰酸酯封端的預聚物多元醇的聚氨酯反應產物；

所述固化劑包含固化劑胺部分，該固化劑胺部分能夠與所述異氰酸酯封端的預聚物多元醇中所含的未反應的NCO部分反應，形成所述整體窗；

以胺部分與未反應的NCO部分的化學計量比為1∶1至1∶1.25的用量提供所述固化劑與所述異氰酸酯封端的預聚物多元醇；

所述整體窗的孔隙率＜0.1體積％；

所述整體窗的壓縮形變為5-25％；

其中，所述拋光表面適合用來對選自磁性基片、光學基片和半導體基片的基片進行拋光。

2.如權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于，所述整體窗在平行于所述拋光表面的平面內具有橢圓形截面。

3.如權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于，所述異氰酸酯封端的預聚物多元醇包括異氰酸酯封端的聚四亞甲基醚二醇。

4.如權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于，所述異氰酸酯封端的預聚物多元醇包含8.75-9.40重量％的未反應的NCO部分。

5.如權利要求3所述的化學機械拋光墊，其特征在于，所述異氰酸酯封端的聚四亞甲基醚二醇包含9.00-9.25重量％的未反應的NCO部分。

6.如權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于，所述整體窗在670納米處的透光率為20-50％。

7.一種用來對選自磁性基片、光學基片和半導體基片的基片進行化學機械拋光的方法，該方法包括：

提供化學機械拋光設備，該設備包括臺板；

提供選自磁性基片、光學基片和半導體基片中的至少一塊基片；

選擇如權利要求1所述的化學機械拋光墊；

將所述化學機械拋光墊安裝在所述臺板上；

用所述拋光層的拋光表面對所述至少一塊基片進行拋光。

8.一種用來對選自磁性基片、光學基片和半導體基片的基片進行化學機械拋光的方法，該方法包括：

提供化學機械拋光設備，該設備包括臺板；

提供選自磁性基片、光學基片和半導體基片中的至少一塊基片；

選擇包括拋光層的化學機械拋光墊，所述拋光層包括形成于其中的整體窗，所述整體窗的壓縮形變為5-25％；

將所述化學機械拋光墊安裝在所述臺板上；

用所述拋光層的拋光表面對所述至少一塊基片進行拋光。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在對基片進行10小時的拋光之后，整體窗從拋光層的拋光表面向外凸出≤50微米。