[發明專利]去除硅襯底材料拋光后表面金屬雜質的清洗方法無效
| 申請號： | 201010231561.4 | 申請日： | 2010-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN101892510A | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 劉玉嶺;檀柏梅;高寶紅;邊娜 | 申請（專利權）人： | 河北工業大學 |
| 主分類號： | C25F1/00 | 分類號： | C25F1/00 |
| 代理公司： | 天津市三利專利商標代理有限公司 12107 | 代理人： | 劉英蘭 |
| 地址： | 300130*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 襯底 材料 拋光 表面 金屬 雜質 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種去除硅襯底材料拋光后表面金屬雜質的清洗方法，其特征在于具體實施步驟如下：
（1）按常規對拋光后硅晶片用去離子水沖洗，去除晶片表面殘留的拋光液；
（2）將晶片放入含有FA/OII型螯合劑1-5wt%的電化學方法制備的具有氧化性的水溶液中浸泡，浸泡溫度為室溫，浸泡時間為5-20分鐘；所述氧化性的水溶液是指在5-12V的電壓下電解K2SO4溶液15-60分鐘所得的電解液；
（3）配制0.1-0.8mol/L的K2SO4?溶液于電化學清洗槽中，以金剛石膜為陽極，不銹鋼為陰極，在10V電壓下電解30分鐘獲得具有氧化性的電化學清洗液；???
（4）將晶片放置于花籃上，浸入電化學清洗槽的清洗液中用電化學方法進行清洗；采用電化學清洗液為具有氧化性的含有濃度為0.1-1mol/L的K2SO4電解液；所述電化學清洗方法指電壓為1-5V，采用溫度為20-70℃，時間5-15分鐘；利用金屬離子在陰極表面放電，去除殘余的金屬離子；
（5）將硅片取出，用去離子水對晶片進行沖洗，并在室溫下通氮氣吹干。
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