[發(fā)明專利]固體攝像裝置、其制造方法以及電子設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010231410.9
• 申請(qǐng)日: 2010-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN101989608A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 世古裕亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/335;H04N5/341;H04N5/225
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體基板的攝像表面上形成多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部；

在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部之間形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)作為用于隔離所述攝像表面上的所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的元件隔離部；

在所述元件隔離部上方形成遮光部，所述遮光部用于阻止入射光進(jìn)入所述攝像表面上的所述元件隔離部；以及

在所述攝像表面上形成多個(gè)像素晶體管的柵極，所述多個(gè)像素晶體管配置為讀出并輸出所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部中產(chǎn)生的信號(hào)電荷以作為數(shù)據(jù)信號(hào)；

其中，所述方法還包括以下步驟：

在進(jìn)行所述遮光部形成步驟和所述柵極形成步驟之前形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層通過形成具有遮光效果的導(dǎo)電材料層而形成，使得在所述攝像表面上包括形成有所述遮光部的部分和形成有所述多個(gè)像素晶體管的所述柵極的部分的區(qū)域被覆蓋；以及

其中，在所述遮光部形成步驟和所述柵極形成步驟中，通過圖形化所述導(dǎo)電層而同時(shí)形成所述遮光部和所述柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為包括所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部之間的所述遮光部的延伸部分。

3.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述遮光部形成步驟和所述柵極形成步驟中，所述遮光部和所述柵極形成為使得所述遮光部與所述柵極的每一個(gè)彼此連接。

4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

所述元件隔離部形成步驟包括以下步驟：

形成絕緣層，使得所述絕緣層位于所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上方；

其中，在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為與所述絕緣層的上表面接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述柵極形成步驟中，傳輸晶體管的柵極形成為所述柵極，所述傳輸晶體管配置為將來自所述光電轉(zhuǎn)換部的信號(hào)電荷讀出到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；以及

在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為連接于所述傳輸晶體管的所述柵極。

6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述柵極形成步驟中，放大晶體管的柵極形成為所述柵極，所述放大晶體管配置為電連接于所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；以及

在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為連接于所述放大晶體管的所述柵極。

7.如權(quán)利要求6所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述柵極形成步驟中，選擇晶體管的柵極形成為所述柵極；以及

在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為連接于所述選擇晶體管的所述柵極。

8.如權(quán)利要求7所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述柵極形成步驟中，復(fù)位晶體管的柵極形成為所述柵極；以及

在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為連接于所述復(fù)位晶體管的所述柵極。

9.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述遮光部形成步驟和所述柵極形成步驟中，所述遮光部和所述柵極形成為使得所述遮光部和每個(gè)所述柵極彼此隔離。

10.如權(quán)利要求1到9的任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，

在所述導(dǎo)電層形成步驟中，形成多晶硅層作為所述導(dǎo)電層。

11.一種固體攝像裝置的制造方法，所述方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體基板的攝像表面上形成多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部；

在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部之間形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)作為用于隔離所述攝像表面上的所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的元件隔離部；以及

在所述元件隔離部上方形成遮光部，所述遮光部用于阻止入射光進(jìn)入所述攝像表面上的所述元件隔離部；

其中，在所述遮光部形成步驟中，所述遮光部形成為使得所述遮光部包括根據(jù)形成于所述攝像表面上的所述元件隔離部的平面形狀而延伸的部分。