[發(fā)明專利]基于Y波導的雙分布反饋激光器雙放大器的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010231175.5 | 申請日： | 2010-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN101938083A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孔端花;朱洪亮;梁松 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/12 | 分類號： | H01S5/12;H01S5/068;H01S5/042;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 波導 分布 反饋 激光器 放大器 制作方法 | ||
1.一種基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，包括如下步驟：
步驟1：選擇一N型磷化銦襯底；
步驟2：在N型磷化銦襯底上依次外延制作InP緩沖層、下波導層、多量子阱有源區(qū)、上波導層和光柵層，形成材料結(jié)構；
步驟3：在材料結(jié)構的一側(cè)制作無源波導區(qū)，另一側(cè)為有源波導區(qū)；
步驟4：在多量子阱有源區(qū)上部的上波導層和光柵層上遠離無源波導區(qū)的一側(cè)制作光柵，該有光柵的部分為DFB區(qū)，該DFB區(qū)分為DFB1區(qū)和DFB2區(qū)，另一部分為SOA區(qū)，該SOA區(qū)分為SOA1區(qū)和SOA2區(qū)；
步驟5：在有源波導區(qū)和無源波導區(qū)上依次外延制作光柵蓋層、光限制層和電接觸層；
步驟6：在電接觸層上向下刻蝕出Y型脊波導，刻蝕深度至光柵層的表面；
步驟7：在光柵層的上面及Y型脊波導的表面生長二氧化硅絕緣層；
步驟8：將有源波導區(qū)上的Y型脊波導上面的二氧化硅絕緣層腐蝕掉；
步驟9：在有源波導區(qū)上的Y型脊波導兩臂的中間制作第一電隔離溝，在有源波導區(qū)上的DFB區(qū)和SOA區(qū)之間制作第二電隔離溝；
步驟10：在第一電隔離溝的兩側(cè)及第二電隔離溝的兩側(cè)制作P面電極；
步驟11：將N型磷化銦襯底減薄；
步驟12：在減薄后的N型磷化銦襯底的下面制作N面電極，完成器件的制作。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中多量子阱有源區(qū)為銦鎵砷磷或銦鎵鋁砷材料，材料的帶隙波長為1.55μm，總厚度為70-200納米。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中所述的多量子阱有源區(qū)的量子阱個數(shù)為4-10。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中所述的制作無源波導區(qū)，是采用對接生長或量子阱混雜技術實現(xiàn)的。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中所述的制作無源波導區(qū)的結(jié)構包括：依次生長的下限制層、波導芯層和上限制層。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中DFB1區(qū)和DFB2區(qū)的光柵周期對應的激射波長相同或是有一個1-10納米波長的偏調(diào)。
7.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中在制作完成的器件的有源波導區(qū)的端面蒸鍍高反射膜。
8.根據(jù)權利要求1所述的基于Y波導的雙分布反饋激光器+雙放大器的制作方法，其中在制作完成的器件的無源波導區(qū)的端面蒸鍍抗反射膜。
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