[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010230735.5
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN102054766A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 金承煥
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532;H01L27/108
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

蝕刻半導體基板以形成柱狀圖案；

在所述柱狀圖案的表面上沉積絕緣層；

移除位于所述柱狀圖案的側壁上的所述絕緣層的一部分，以形成觸點孔，所述觸點孔使所述柱狀圖案的側壁的一部分露出并限定所述柱狀圖案的側壁的一部分；

在所述觸點孔中形成阻擋薄膜；

在所述柱狀圖案的側壁的由所述觸點孔限定的部分中形成接面區域；以及

在所述阻擋薄膜上形成位線以與所述接面電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述絕緣層包括氮化物薄膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述阻擋薄膜包括TiSi₂薄膜。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，

形成所述阻擋薄膜的步驟包括：

在所述絕緣層的形成有所述觸點孔的表面上形成鈦薄膜；以及

將與所述柱狀圖案的側壁的由所述觸點孔限定的部分接觸的所述鈦薄膜轉變成TiSi₂薄膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，

形成所述鈦薄膜的步驟包括實施使用TiCl₄的等離子增強化學氣相沉積工序。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，

實施所述等離子增強化學氣相沉積工序的溫度在大約650℃至大約850℃的范圍內。

7.根據權利要求4所述的方法，還包括：

在所述鈦薄膜的表面上沉積TiN薄膜。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述接面的步驟包括：

在所述柱狀圖案的上部上形成多晶硅層；以及

實施退火工序以使所述多晶硅層中的摻雜物擴散至所述柱狀圖案中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述多晶硅層是經摻雜的硅層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，

經摻雜的多晶硅包含磷。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述退火工序是借助于加熱爐或快速熱退火工序而實施的。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述位線的步驟包括：

在所述柱狀圖案的側壁中形成所述接面區域之后，在所述柱狀圖案的上部上形成位線材料層，并實施回蝕工序，以在所述柱狀圖案的較低部分中形成所述位線。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

所述位線材料層包含選自如下群組的一種材料，所述群組包括鎢、TiN以及它們的組合。

14.一種半導體器件，包括：

第一柱，其限定在基板上，所述第一柱具有從所述基板垂直地延伸的側壁；

絕緣層，其共形地形成在所述第一柱上；

觸點孔，其延伸穿過所述絕緣層，以從所述第一柱的側壁的一部分露出；

阻擋薄膜，其形成在所述觸點孔中；及

接面區域，其形成在所述第一柱的側壁的所述部分中。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，

所述接面區域從所述第一柱的側壁的所述部分和所述阻擋薄膜橫向地延伸至所述第一柱中。

16.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，

所述阻擋薄膜包含TiSi₂。

17.根據權利要求14所述的半導體器件，還包括：

在所述第一柱的表面上的Ti薄膜以及TiN薄膜。

18.根據權利要求14所述的半導體器件，還包括：

第二柱，其與所述第一柱相鄰；

埋入式位線，其形成在所述第一柱和所述第二柱之間，且與所述觸點孔接觸。

19.根據權利要求18所述的半導體器件，其中，

所述埋入式位線包含選自如下群組的一種材料，所述群組包括鎢、TiN以及它們的組合。