[發明專利]光調制器像素單元及其制作方法有效
| 申請號: | 201010230027.1 | 申請日: | 2010-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102338931A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 毛劍宏;唐德明;韓鳳芹 | 申請(專利權)人: | 江蘇麗恒電子有限公司 |
| 主分類號: | G02B26/00 | 分類號: | G02B26/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 211009 江蘇省鎮江高新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調制器 像素 單元 及其 制作方法 | ||
1.一種光調制器像素單元,其特征在于,包括:
襯底;
底部電極,位于所述襯底上,所述底部電極與控制電路的第一控制端電連接;頂部電極,位于所述襯底上,所述頂部電極與控制電路的第三控制端電連接,所述頂部電極為半透光的金屬薄膜;
可動電極,位于所述底部電極與頂部電極之間,所述可動電極與控制電路的第二控制端電連接,所述可動電極面向頂部電極的表面為光線反射面,所述可動電極能夠沿垂直于光線反射面的方向移動,所述可動電極與頂部電極之間以及所述可動電極與底部電極之間具有電絕緣材料;
所述頂部電極、可動電極、底部電極位置相對應,所述可動電極面積小于頂部電極的面積,在控制電路控制下,所述可動電極的位置會發生偏移,分別位于第一位置、第二位置和第三位置,當可動電極位于第一位置時,入射至光調制器像素單元的第一光線的經由頂部電極反射的光線與透過頂部電極的由可動電極反射的并再透過頂部電極的光線發生相消干涉;當可動電極位于第二位置時,入射至光調制器像素單元的第二光線的經由頂部電極反射的光線與透過頂部電極的由可動電極反射的并再透過頂部電極的光線發生相消干涉;當可動電極位于第三位置時,入射至光調制器像素單元的第三光線的經由頂部電極反射的光線與透過頂部電極的由可動電極反射的并再透過頂部電極的光線的發生相消干涉;所述第一光線、第二光線、第三光線為三基色光線。
2.如權利要求1所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述控制電路位于所述襯底內,或所述控制電路形成于另一襯底內。
3.如權利要求1所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述底部電極與所述襯底之間電學絕緣;所述頂部電極與所述襯底之間電學絕緣。
4.如權利要求1所述的光調制器像素單元,其特征在于,還包括:層間介質層,位于所述襯底上;
空腔,位于層間介質層內,所述空腔具有空腔壁,所述空腔分為第一部分和第二部分,所述第一部分位于空腔的下部,第二部分位于空腔的上部;所述底部電極位于所述空腔的第一部分與襯底之間的層間介質層內;所述頂部電極位于空腔的第二部分之上的層間介質層內;
所述可動電極位于所述空腔內,所述可動電極與所述空腔的空腔壁之間具有間隙,用于容納可動電極的運動。
5.如權利要求4所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述可動電極與頂部電極之間的電絕緣材料、以及可動電極與底部電極之間的電絕緣材料為層間介質層或者額外形成。
6.如權利要求4所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述層間介質層或者額外形成的電絕緣材料為氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的組合。
7.如權利要求4所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述層間介質層內形成有多個第二導電插塞,所述多個第二導電插塞將第二控制端和可動電極電連接,所述多個第二導電插塞關于可動電極的中心對稱。
8.如權利要求1所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述頂部電極材質為金屬,厚度范圍為30~300埃,所述金屬為銀、鋁、銅、鈦、鉑金、金、鎳、鈷或者其中的組合。
9.如權利要求1所述的光調制器像素單元,其特征在于,所述可動電極的材質為金屬,厚度范圍為800~10000埃,所述金屬可以為銀、鋁、銅、鈦、鉑金、金、鎳、鈷或者其中的組合。
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