[發明專利]通過從MOS器件的高K/金屬柵極去除界面層縮小EOT有效
| 申請號： | 201010229603.0 | 申請日： | 2010-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN101958341A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發明（設計）人： | 許俊豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 孫征;陸鑫 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 mos 器件 金屬 柵極 去除 界面 縮小 eot | ||
1.一種集成電路結構，包括：
半導體襯底；
聲子屏蔽層，在所述半導體襯底上方，其中，在所述半導體襯底與所述聲子屏蔽層之間基本不存在界面層；
高K介電層，在所述聲子屏蔽層上方；以及
金屬柵極層，在所述高K介電層上方。
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層與所述高K介電層物理接觸。
3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述高K介電層的k值大于所述聲子屏蔽層的k值，以及所述高K介電層具有大于約30的k值。
4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層由從主要由AlN、ZrSiO4和Al2O3組成的組中選擇出的材料形成，其中，所述界面層為氧化硅層。
5.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括位于所述金屬柵極層上方的多晶硅層。
6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層、所述高K介電層和所述金屬柵極層形成柵極堆疊，以及其中，所述集成電路還包括源極/漏極區，所述源極/漏極區具有在所述半導體襯底中并與所述柵極堆疊相鄰的部分，以及所述聲子屏蔽層和所述高K介電層具有小于0.5nm的組合等效氧化層厚度(EOT)。
7.一種集成電路結構，包括：
硅襯底；
柵極堆疊，包括：
聲子屏蔽層，在所述硅襯底上方并與所述硅襯底接觸；
高K介電層，在所述聲子屏蔽層上方，其中，所述高K介電層的k值大于所述聲子屏蔽層的k值；和
金屬柵極層，在所述高K介電層上方；以及
源極/漏極區，與所述柵極堆疊相鄰。
8.根據權利要求7所述的集成電路結構，其中，所述高K介電層具有大于約30的k值。
9.根據權利要求7所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層由從主要由AlN、ZrSiO4和Al2O3組成的組中選擇出的材料形成。
10.根據權利要求7所述的集成電路結構，還包括位于所述金屬柵極層上方的多晶硅層。
11.根據權利要求7所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層和所述高K介電層具有小于約0.5nm的組合等效氧化層厚度(EOT)。
12.一種集成電路結構，包括：
硅襯底；以及
柵極堆疊，包括：
聲子屏蔽層，在所述硅襯底上方并與所述硅襯底接觸，其中，所述聲子屏蔽層由從主要由AlN、ZrSiO4和Al2O3組成的組中選擇出的材料形成；
高K介電層，在所述聲子屏蔽層上方，其中，所述高K介電層的k值大于所述聲子屏蔽層的k值；和
金屬柵極層，在所述高K介電層上方。
13.根據權利要求12所述的集成電路結構，還包括位于所述金屬柵極層上方的多晶硅層以及源極/漏極區，所述源極/漏極區具有在所述半導體襯底中并與所述柵極堆疊相鄰的部分。
14.根據權利要求12所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層和所述高K介電層具有小于約0.5nm的組合等效氧化層厚度(EOT)。
15.根據權利要求12所述的集成電路結構，其中，所述聲子屏蔽層包括AlN、ZrSiO4或Al2O3。
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