[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201010229575.2
• 申請日: 2010-07-13
• 公開（公告）號: CN101996902A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 中川和之;馬場伸治;山田聰;辛島崇
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;孟祥海

1.一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件是半導體芯片面朝下焊接連接在具有上表面和與該上表面相反一側的下表面的布線基板的所述上表面一側，且在所述布線基板的所述下表面一側具有能與安裝基板連接的焊球的半導體器件，

所述半導體器件的制造方法的特征在于，

包括進行所述焊接連接以將所述半導體芯片面朝下焊接連接到所述布線基板的所述上表面上的工序a，

當對所述半導體芯片進行所述焊接連接時，在連接所述焊球的所述布線基板的所述下表面一側的焊盤的表面上形成有焊接預涂層，其中，所述焊盤以銅為主要成份。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述焊接預涂層是由無鉛焊料形成的。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述無鉛焊料為錫-銅類或者錫-銀-銅類的焊料。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a之后，通過對所述焊接預涂層加熱來將所述焊球電連接在所述布線基板的所述焊盤上。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a之前，還具有在所述布線基板的所述下表面一側的多個所述焊盤上形成所述焊接預涂層的工序，在所述焊接預涂層的厚度方向上，所述焊接預涂層比覆蓋連接所述焊接預涂層的所述焊盤的周邊部的絕緣膜更下凹。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，用第一頭部件對所述半導體芯片的背面加熱，再用第二頭部件對所述布線基板的所述下表面加熱，其中，用所述第一頭部件對所述半導體芯片加熱時的加熱溫度比用所述第二頭部件對所述布線基板加熱時的加熱溫度高。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，在真空吸附著所述半導體芯片的狀態下用所述第一頭部件對所述半導體芯片進行加熱，再在真空吸附著所述布線基板的狀態下用所述第二頭部件對所述布線基板進行加熱。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，在所述半導體芯片的主面上設有由錫-銀-銅形成的多個焊料突起。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，將焊球布置在所述布線基板的所述上表面一側的多個倒裝芯片用電極上，在完成所述布置之后，利用回流焊使所述焊球熔化。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，將焊膏涂敷在所述布線基板的所述下表面一側的多個所述焊盤上，在完成所述涂敷之后，利用回流焊使所述焊球和所述焊膏熔化。

11.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，當進行所述焊接連接以將所述半導體芯片焊接連接到所述布線基板上時，將焊接預涂層用焊球布置在所述布線基板的所述下表面一側的多個所述焊盤上，在完成所述布置之后，利用所述回流焊使所述焊球和所述焊接預涂層用焊球熔化，從而在所述多個焊盤的表面上形成所述焊接預涂層。