[發(fā)明專利]碳納米管團(tuán)簇作芯片凸點(diǎn)的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010229511.2 | 申請(qǐng)日： | 2010-07-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101916735A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭洪巖;賴志明;陳錦輝;張黎;陳棟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214434 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 管團(tuán)簇作 芯片 倒裝 封裝 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
1.一種碳納米管團(tuán)簇作為芯片凸點(diǎn)的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所述方法包含以下三個(gè)步驟：
步驟一、在襯底上生長(zhǎng)碳納米管團(tuán)簇陣列
首先在襯底上形成掩膜，該掩膜根據(jù)芯片上芯片端子的分布來設(shè)計(jì)，然后在形成掩膜的襯底上生長(zhǎng)碳納米管團(tuán)簇陣列，碳納米管團(tuán)簇陣列生長(zhǎng)結(jié)束后將掩膜移除，至此便得到了與芯片端子分布相同的碳納米管團(tuán)簇陣列；
步驟二、將步驟一得到的碳納米管團(tuán)簇陣列轉(zhuǎn)移到芯片表面
首先在芯片表面涂布一層第一導(dǎo)電膠或?qū)щ娔ぃ缓髮⒉襟E一得到的碳納米管團(tuán)簇陣列與芯片上對(duì)應(yīng)的芯片端子對(duì)準(zhǔn)后粘連到芯片表面，粘連結(jié)束后將襯底去除，最終在芯片表面制備了碳納米管團(tuán)簇凸點(diǎn)；
步驟三、將具有碳納米管團(tuán)簇凸點(diǎn)的芯片倒裝到基板上
首先在基板上涂布一層第二導(dǎo)電膠或?qū)щ娔ぃ缓髮⒉襟E二制備的具有碳納米管團(tuán)簇凸點(diǎn)的芯片倒裝到基板上，倒裝結(jié)束后，用底填料填充所述凸點(diǎn)的間隙，最后在基板背面的焊盤上放置焊球并回流，得到碳納米管團(tuán)簇作為芯片凸點(diǎn)的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司，未經(jīng)江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010229511.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
