[發明專利]一種掩模板的制作方法無效

申請號：	201010229457.1	申請日：	2010-07-16
公開（公告）號：	CN101916039A	公開（公告）日：	2010-12-15
發明（設計）人：	李春蘭;洪志華;戴海哲;譚景霞;熊啟龍;鄧振玉	申請（專利權）人：	深圳清溢光電股份有限公司
主分類號：	G03F7/00	分類號：	G03F7/00;G03F7/20;G03F1/14;G03F1/08
代理公司：	深圳中一專利商標事務所 44237	代理人：	張全文
地址：	518000 廣東省深圳***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種模板制作方法
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【說明書】：

技術領域

本發明屬于掩模板制造技術領域，尤其涉及一種掩模板的制作方法。

背景技術

隨著工藝技術的發展，為了提高效率，減少工藝步驟，目前很多TFT-LCD公司都從五次光刻轉到四次光刻，又從四次光刻減化到三次光刻。相應的，制造過程中使用的掩模板(MASK)也從原來使用的兩張掩模板，轉化為使用一張灰階掩模板GTM(Gray?Tone?Mask)或者半灰階掩模板(HTM：Half?Tone?Mask)。

例如對于用于制造如TFT-LCD、OLED用半灰階掩模板(HTM)，一般的TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)半灰階掩模制板數據結構如圖1所示，其包括柵電極501、信號線電極502、源電極503、漏電極504、通孔505和像素電極506。其中，源電極503與漏電極504之間形成TFT溝道602，501柵電極源電極503、漏電極504等部分形成TFT開關器件601。目前半灰階掩模板一般采用的原材料結構如圖2所示，包括石英玻璃301，金屬鉻及氧化鉻薄膜302和光刻膠層303。其制作工藝流程如圖3所示，即投入如圖2的原材料，開始第一次曝光，第一次顯影，第一次刻蝕，剝離光刻膠，進行掩模板清洗，然后沉積半灰階掩模層，涂敷光刻膠，進行第二次曝光對位，第二次曝光，第二次顯影，第二次刻蝕，第二次去掉光刻膠，形成如圖7所需的圖形，清洗掩模板，缺陷檢查，修復與貼膜，最后包裝出貨，共需要17步主要工序完成。上述工藝比較復雜，且浪費工時。同時，我們也發現在沉積半灰階掩模層進行第二次曝光過程中，模板中半灰階掩模層與數據設計值存在二次對位偏差現象。

發明內容

本發明的目的在于克服上述現有技術的不足，提供了一種掩模板的制作方法，其工藝簡單，無需沉積半灰階掩模層工序，節約工時，且避免了二次對位偏差。

本發明的技術方案是：一種掩模板的制作方法，是用于原材料結構為襯底層、灰階掩模層、基礎材質層及光刻膠層的掩模板的制作，其中光刻膠層的厚度為t0，所述制作方法包括以下步驟：

(a)制作第一圖形和第二圖形，采用第一圖形對光刻膠層進行第一次曝光，使對應區域內的光刻膠層的厚度減薄至t1；

(b)采用第二圖形對光刻膠層進行第二次曝光，使對應區域內的光刻膠層的厚度減薄至t2，t2不等于t1，使光刻膠層呈t0，t1，t2三個厚度互不相等的區域；

(c)將光刻膠層最薄處的區域內的光刻膠去除；

(d)刻蝕步驟(c)中去除光刻膠層區域處的基礎材質層及灰階掩模層；

(e)再將所余光刻膠層最薄處的區域內的光刻膠去除；

(f)刻蝕步驟(e)中去除光刻膠層區域處的基礎材質層。

具體地，所述第二圖形包括第一圖形的區域，第一次曝光為對第一圖形閉合區域內進行曝光，第二次曝光為對第二圖形閉合區域外進行曝光，且第二次曝光的能量高于第一次曝光的能量。

具體地，在第二次曝光工序后，進行第一次顯影工序，以將光刻膠層最薄處的區域內的光刻膠去除。

更具體地，在步驟(d)之后，進行第二次顯影工序，以將所余光刻膠層最薄處的區域內的光刻膠去除。