[發(fā)明專利]半導(dǎo)體清洗裝置和清洗半導(dǎo)體器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010229366.8
• 申請日: 2010-07-16
• 公開（公告）號: CN101884983A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張晨騁
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種適用超臨界流體的半導(dǎo)體清洗裝置，包括：工藝腔，位于所述工藝腔內(nèi)的進液管道和支架，在所述進液管道上設(shè)有多個噴嘴，在所述工藝腔底部設(shè)有排液管道，其特征在于，所述排液管道上設(shè)有調(diào)壓器，所述支架上設(shè)有多個器件卡持部，所述支架和所述器件卡持部活動連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，所述器件卡持部與水平面能夠成30度至60度的夾角。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，所述支架的材料為PFA或PTEE。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，所述調(diào)壓器的調(diào)壓范圍為0-200bar。

5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，所述多個噴嘴分成若干噴嘴組，所述噴嘴組的數(shù)量和所述器件卡持部的數(shù)量相等。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，每個所述噴嘴組對應(yīng)一個開關(guān)，每個所述開關(guān)控制同一噴嘴組內(nèi)的噴嘴同時打開或關(guān)閉。

7.利用權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清洗裝置清洗半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

打開所述工藝腔，將所述半導(dǎo)體器件豎直放置在所述器件卡持部上；

關(guān)閉所述工藝腔，調(diào)整所述工藝腔內(nèi)的環(huán)境至工藝環(huán)境；

所述卡持部帶動所述半導(dǎo)體器件傾斜到一定角度；

所述噴嘴開始向所述工藝腔內(nèi)噴灑超臨界流體，以清洗所述半導(dǎo)體器件；

清洗完畢后，調(diào)整所述工藝腔內(nèi)的環(huán)境至普通環(huán)境；

打開所述工藝腔，取出所述半導(dǎo)體器件。

8.如權(quán)利要求7所述的清洗半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述一定角度為30度-60度。

9.如權(quán)利要求7所述的清洗半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，調(diào)整所述工藝環(huán)境為溫度大于32度、壓力大于80bar的環(huán)境。

10.如權(quán)利要求7所述的清洗半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述超臨界流體為添加了共溶劑和/或添加劑的二氧化碳流體。

11.如權(quán)利要求7-10中任一項所述的清洗半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，每個半導(dǎo)體器件上的超臨界流體的流量為0.5-2千克每分鐘。