[發明專利]淺溝道隔離區的制作方法

有效

• 申請號: 201010229234.5
• 申請日: 2010-07-16
• 公開（公告）號: CN102339782A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 寧振佳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/316
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成掩膜層；

形成溝道步驟，定義所述掩膜層的型樣，以暴露出所述半導體襯底欲形成所述淺溝道隔離區的部分，以所述掩膜層的型樣為硬掩膜，刻蝕所述半導體襯底以形成溝道；

在所述半導體襯底上沉積氧化隔離層，所述氧化隔離層填滿所述溝道；

平坦化步驟，對所述氧化隔離層施行平坦化過程，去除所述溝道以外的所述氧化隔離層，暴露出所述掩膜層；

回刻處理步驟，對所述掩膜層施行回刻處理，在所述氧化隔離層與所述掩膜層之間形成間隙；

在所述掩膜層上生長氧化層，所述氧化層填充所述氧化隔離層與所述掩膜層之間的間隙；

刻蝕所述氧化層直至暴露出所述掩膜層；

依次刻蝕去除所述掩膜層和所述氧化層，最終形成淺溝道隔離區。

2.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述掩膜層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的其中之一或任意組合。

3.如權利要求2所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述掩膜層采用熱氧化法或化學氣相沉積法沉積形成。

4.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，在形成溝道步驟中，定義所述掩膜層的型樣為：在所述掩膜層上形成光刻膠，圖案化所述光刻膠，以所述光刻膠為掩膜，刻蝕所述掩膜層直至露出所述半導體襯底。

5.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述溝道的深度為到

6.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述氧化隔離層采用高密度電漿化學氣相沉積法形成。

7.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，在所述氧化隔離層為氧化硅。

8.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，在所述平坦化步驟中，所述平坦化過程采用化學機械研磨法。

9.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，在所述回刻處理步驟中，采用磷酸溶液對所述掩膜層進行回刻處理。

10.如權利要求9所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述磷酸溶液中磷酸的質量百分比為80％～90％，所述磷酸溶液的蝕刻率為45～

11.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述氧化隔離層與所述掩膜層之間的間隙寬度為

12.如權利要求11所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，填充在所述氧化隔離層與所述掩膜層之間的所述氧化層的厚度與所述間隙的寬度相等。

13.如權利要求1所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，在刻蝕去除所述氧化層步驟中，采用氫氟酸溶液刻蝕所述氧化層。

14.如權利要求13所述的淺溝道隔離區的制作方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中氫氟酸的質量百分比45％～55％，所述氫氟酸溶液的蝕刻率為50～